砷化镓化合物中国上市公司

『壹』 在第三代氮化镓芯片时代，中国可能会来者居上吗

最近随着5G的普及，第三代半导体的应用也越来越被行业和大众所关注，在5G芯片上也被大量应用，那究竟什么是第三代半导体氮化镓呢？它有什么过人之处？在新一代半导体的应用研发上我们能否做到后来居上，打破关键技术被外国“卡脖子”的命运呢？

什么是第三代半导体氮化镓？

说到第三代半导体，我们就应该回顾一下半导体的发展历史。第一代半导体最早是锗，后来应用最广泛的是硅，它们的特点是原料易得，所以被大规模使用，包括我们现在许多芯片都是近乎纯净的硅制备成硅单晶后在经过各种加工做成的。

而现在全世界最强大的5G领域国家是以中国，美国和欧洲为核心的，在这次全世界的5G标准的立项并且通过的企业也是中国占了大头，一共就有21项，其中包括中国移动10项，华为8项，中兴2项，联通1项，而以前一直处于霸主地位的美国只有9项。这些也足以可以说明5G标准的主导者当然是中国了。同时中国在5G上应用第三代半导体的技术也位居世界前列。

5G它是个庞大的体系，他的强大得由多方力量支撑，在这个体系中，我们中国除了芯片方面要稍微弱势一点，其他都是排在世界前列，而第三代氮化镓芯片时代也打破了以前一无所有的境遇。中国5G的发展，绝不仅仅是通信技术本身的开阔，更是对社会发展的影响，也会在很大程度上改变中国的实力。让我们的国家在国际上有着更大的话语权。

『贰』 砷化镓集成电路主要用于什么领域

砷化镓集成电路是以砷化镓（GaAs）半导体材料为基片制作的集成电路，其有源器件主要是金属基场效应晶体管和结型场效应晶体管，同时还包含了用高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管等器件所制的集成电路。

GaAs集成电路包括超高速集成电路、微波单片集成电路和光电集成电路。GaAs是一种重要的化合物半导体材料。GaAs集成电路与硅集成电路相比的优点是：电子迁移率比硅大5倍；GaAs工作温度范围宽，可以扩展到-70℃～300℃；抗辐照性能比硅高1～3个数量级。

GaAs集成电路主要应用于通信卫星、电视卫星接收机、移动通信、高清晰度电视、微波毫米波数字频率源、光通信、超高速率信号处理、微型超级计算机、高性能仪器、微波传感器以及国防军用电子装备等。

『叁』 哪个企业生产的氮化镓品质好

1.三安光电（600703）
化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。
2.闻泰科技（600745）
其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。通讯业务板块包括手机、平板、笔电、IoT、汽车电子等领域。
3.耐威科技（300456）
公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN（氮化镓）材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。北京耐威科技股份有限公司以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，一方面大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、第三代半导体材料和器件等潜力业务，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。公司主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、导航系统及器件、航空电子系统等，应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子、航空航天、智能交通等。公司业务遍及全球，客户包括特种电子用户以及全球DNA/RNA测序仪巨头、新型超声设备巨头、网络通信和应用巨头以及工业和消费细分行业的领先企业。
4.南大光电（300346）
公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。
5.海陆重工（002255）
旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓（GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。苏州海陆重工股份有限公司位于江苏省张家港市开发区，是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。
6.海特高新（002023）
海威华芯布局氮化镓功率器件代工，技术达到国际先进水平
7.富满电子（300671）
充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器
8.云南锗业（002428）
子公司云南鑫耀半导体材料有限公司目前已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线，目前GaAs单晶片产能为80万片/年（折合4英寸），2019年上半年产量
9.有研新材（600206）
公司为国内靶材等半导体材料的龙头企业之一，也是国内水平砷化镓最大的供应商，旗下有研光电拥有如万片/年的GaAs衬底产能。
10.乾照光电（300102）
是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业，研发并生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池，填补了该领域的国内空白。

『肆』 含超纯硅 砷化镓的股票有哪些

300102乾照光电：国内砷化镓LED芯片龙头上市公司
公司分析：公司主要从事光电产品的研发、生产和销售业务，主要有高亮度四元系LED外延片及芯片和三结砷化镓太阳能电池外延片及芯片两大类产品，产品广泛应用于显示屏，照明，汽车尾灯，背光源以及空间卫星等高端领域。
公司自主研发并掌握了多项高亮度四元系红、黄光LED外延片生长的核心技术，在LED芯片的研发、生产方面也取得了重大突破。公司四元系LED芯片产品的主要技术指标处于国内领先水平，部分达到国际先进水平，并具有较高的性价比，是国内仅有的几家能够初步工业化生产LED外延片和芯片的企业之一。
公司以自主研发和拥有多项MOCVD核心技术生产的空间用三结砷化镓太阳能电池外延片，其加工制成的空间电池产品光电转化效率指标处于国内领先、国际先进的水平，是目前国内最大的能够批量生产三结砷化镓太阳能电池外延片的企业之一。另外公司地面用聚光三结砷化镓太阳能电池芯片产品已试制成功，并于2009年实现产品销售。在三结砷化镓太阳能电池外延片方面，公司自主研发并拥有多项MOCVD核心技术，采用公司所生产的空间用三结砷化镓太阳能电池外延片制成的电池产品光电转换效率处于国内领先、国际先进水平。

『伍』 砷化镓 是怎么合成的

砷化镓材料的制备
与硅相仿，砷化镓材料也可分为体单晶和外延材料两类。体单晶可以用作外延的衬底材料，也可以采用离子注入掺杂工艺直接制造集成电路（采用高质量、大截面、半绝缘砷化镓单晶）。重点是液封直拉法（即液封乔赫拉斯基法，简称LEC法）,但水平舟生长法（即水平布里其曼法）因制出的单晶质量和均匀性较好，仍然受到一定的重视。液封直拉法的一个新发展是在高压单晶炉内用热解氮化硼(PBN)坩埚和干燥的氧化硼液封剂直接合成和拉制不掺杂、半绝缘砷化镓单晶。另外，常压下用石英坩埚和含水氧化硼为液封剂的方法也已试验成功。不论水平舟生长法或是液封直拉法，晶体的直径均可达到100～150毫米而与硅单晶相仿。
砷化镓的外延生长按工艺可分为气相和液相外延，所得外延层在纯度和晶体完整性方面均优于体单晶材料。通用的气相外延工艺为Ga/AsCl3/H2法,这种方法的变通工艺有Ga/HCl/AsH3/H2和Ga/AsCl3/N2法。为了改进Ga/AsCl3/H2体系气相外延层的质量，还研究出低温和低温低压下的外延生长工艺。液相外延工艺是用 Ga/GaAs熔池覆盖衬底表面,然后通过降温以生长外延层,也可采用温度梯度生长法或施加直流电的电外延法。在器件(特别是微波器件)的制造方面,汽相外延的应用比液相外延广泛。液相外延可用来制造异质结(如GaAs/AlxGa1-xAs)，因此它是制造砷化镓双异质结激光器和太阳电池等的重要手段。
砷化镓外延技术还有分子束外延和金属有机化合物汽相沉积外延。分子束外延是在超高真空条件下，使一个或多个热分子束与晶体表面相作用而生长出外延层的方法。对入射分子或原子束流施加严格的控制，可以生长出超晶格结构，例如由交替的GaAs和AlxGaAs薄层（厚度仅10埃）所组成的结构。金属有机化合物汽相沉积外延是用三甲基镓或三乙基镓与砷烷相作用而生长外延层。用这种方法也能适当地控制外延层的浓度、厚度和结构。与分子束外延相比，金属有机化合物汽相沉积外延设备和工艺均较简单，但分子束外延层的质量较高。
材料中的深能级缺陷砷化镓中的杂质和缺陷（特别是深能级缺陷）对器件性能影响很大。作为化合物半导体，砷化镓中的深能级缺陷问题远比硅、锗复杂。例如，半绝缘砷化镓中最重要的深电子陷阱ELZ和在液相外延砷化镓中发现的A、B空穴陷阱的本性和行为都有待于研究。
应用砷化镓器件主要包括光电器件和微波器件两大类。砷化镓以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接跃迁的能带结构，在光电应用方面处于有利的地位。常用的光电器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP两种结构的双异质结激光器，红外和可见光发光管，砷化镓太阳电池。在微波器件方面，砷化镓的高迁移率和低有效质量使器件得以在更高频率下工作。另外，基于电子转移效应，已研制出耿氏管一类器件。70年代初，由于高质量砷化镓外延材料和精细光刻工艺的突破，砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(MESFET)取得了显著的进展，频率、增益和噪声等参数均优于硅场效应晶体管。超晶格结构的出现为高电子迁移率晶体管(HEMT)的研制成功创造了条件。
砷化镓材料的研究课题有：低位错、大直径、非掺杂、半绝缘砷化镓单晶的制备；深能级缺陷的阐明与控制；低界面态密度氧化物层的获得等。

『陆』 砷化镓是第几族

硅 四氟化硅 二氧化硅 硅酸钠硅酸 由硅元素的特征性质推断。

『柒』 砷化镓 跟 砷镓合金是一样的吗 氮化镓是把镓丢近氮气里29～50度 温度下反应吗

不一样，砷化镓是化合物，而砷镓合金为混合物。氮化镓这样是得不到的

『捌』 大庆砷化镓哪个企业怎么样

一、主要产品及用途
砷化镓在当代微电子和光电子产业中发挥着重要的作用，其产品50%应用在军事、航天方面，30%用于通信方面，其余用于网络设备、计算机和测试仪器。由于砷化镓优良的高频特性，它被广泛用于制造无线通信和光通信器件，半绝缘砷化镓单晶已经成为制造大功率微波、毫米波通信器件和集成电路的主要材料。
本项目建设10条半绝缘砷化镓抛光片生产线，每条生产线设计产能为年产10000片4英寸/6英寸（Φ42/Φ62）SI－GaAs抛光片。
二、市场分析
目前，砷化镓单晶和抛光片处于卖方市场，4英寸和6英寸产品供不应求。摩托罗拉等通讯厂商纷纷将砷化镓芯片产能扩大数倍，将年处理能力仅为几万片的工厂产能提高到10万片、20万片，并在全球抢购砷化镓抛光片与外延片。
根据硅谷Strategies公司的预测，2000年全球基于砷化镓材料的无线通信器件市场需求为17亿美元，其中砷化镓抛光片与外延片的需求为6亿美元，并将于2005年达到25亿美元，年增长率达到30％。
三、工艺技术方案
采用国内先进的工艺技术方案组织生产。
四、原材料来源
所需原材料均可在国内、国外方便采购。
五、投资估算及经济效益预测
项目总投资21936万元人民币；销售收入：20916万元人民币；年利税总额：8982万元人民币；年净利润：7865万元人民币。
六、招商内容
希望引进资金，建立合资企业，投资比例、合作年限可以协商。
七、承担单位概况
大庆佳昌科技有限公司于2002年9月在大庆高新区注册成立的，主要从事砷化镓单晶片及抛光的产业化生产，公司注册资产3000万元。公司现有员工50余人，全部为大专以上学历，享受国务院津贴专家1人，博士3人。

『玖』 氮化镓材料一般会用在什么地方呢哪家企业有在做

氮化镓材料主要是用在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面的，目前市场上专门做这种材料的不多，利亚德参股的Saphlux公司算是实力比较强的一个了。

『拾』 砷化镓对人体有害吗

不会的，砷化镓和砷有本质的区别，砷是单质，是有毒物质，而砷化镓是化合物，其性质与砷截然不同，砷化镓是优良的半导体材料。