nandflash期货

❶ nand flash 是什么意思

flash存储器是嵌入式硬件系统所使用的存储设备，相当于PC机的硬盘，断电后仍然能够保存数据。一般固件（或者说，嵌入式软件）就是保存在里面的。
包括Nor flash和Nand flash。各有优缺点。Nand flash容量较大。

❷ Nandflash之MLC和SLC的区别

一、优缺点不同

1、MLC：为了保证MLC的寿命，控制芯片都校验和智能磨损平衡技术算法，使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊，达到100万小时故障间隔时间(MTBF)。

2、SLC：复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。

二、特点不同

1、MLC：是容量大成本低，但是速度慢。

2、SLC：成本高、容量小、速度快。

三、架构不同

1、MLC：MLC的每个单元是2bit的，相对SLC来说整整多了一倍。不过，由于每个MLC存储单元中存放的资料较多，结构相对复杂，出错的几率会增加，必须进行错误修正，这个动作导致其性能大幅落后于结构简单的SLC闪存。

2、SLC：SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。

❸ NandFlash是什么

这个应该是手机/相机/PDA上的说明。。。

NandFlash是一种存储介质。相当于电脑的硬盘。是用来存储东西的。电脑上可存储的东西，在这里也都能存储。
而1G\2G\4G\8G\16G是这种存储介质的大小容量。和电脑硬盘的多少G单位是一样的。

这里为什么会有多种选择呢？
因为同一款手机/相机/PDA在推出时，会考虑不同人的需求。而这种不同配置，相当与PC上硬盘大小的不同配置。有些人喜欢大容量的，有些人感觉小点就够用。
当然，容量越小，价格越便宜。

自己选择时，应考虑自己的实际情况和价格，来选取一个最优的。

❹ nandflash和norflash的区别

nand flash和nor flash的区别如下：

1、开发的公司不同：

NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place）。

Nand flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

2、存储单元关系的不同：

两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。

3、擦除操作的不同：

NAND FLASH执行擦除操作是十分简单的，而NOR FLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR FLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND FLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

参考资料来源：网络-Nand flash

参考资料来源：网络-NOR Flash

❺ Nandflash和norflash的区别

NANDflash和NORflash的区别：
（1）、接口差别：
NOR型Flash采用的SRAM接口，提供足够的地址引脚来寻址，可以很容易的存取其片内的每一个字节；NAND型Flash使用复杂的I/O口来串行的存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同，通常是采用8个I/O引脚来传送控制、地址、数据信息。
（2）、读写的基本单位：
NOR型Flash操作是以“字”为基本单位，而NAND型Flash以“页面”为基本单位，页的大小一般为512字节。
（3）、性能比较：
NOR型Flash的地址线和数据线是分开的，传输效率很高，程序可以在芯片内部执行，NOR型的读速度比NAND稍快一些；NAND型Flash写入速度比NOR型Flash快很多，因为NAND读写以页为基本操作单位。
（4）、容量和成本：
NAND型Flash具有较高的单元密度，容量可以做得比较大，加之其生产过程更为简单，价格较低；NOR型Flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的产品中，这也说明NOR主要用在代码存储介质中，NAND适合数据存储在CompactFlash、PC Cards、MMC存储卡市场上所占的份额最大。
（5）、软件支持：
NAND型和NOR型Flash在进行写入和擦除时都需要MTD（Memory Technology Drivers，MTD已集成在Flash芯片内部，它是对Flash进行操作的接口），这是它们的共同特点；但在NOR型Flash上运行代码不需要任何的软件支持，而在NAND型Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序，即内存技术驱动程序MTD。

❻ 三星的系列NandFlash有什么区别

您好

1. K9F系列的是SLC结构的NANDFLASH
   2.K9G系列的是MCL结构的NANDFLASH

2. 首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重。
   
   其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟。
   
   第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。
   
   第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。
   
   第五是制造成本。MLC技术原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC
   NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。
   
   

❼ NAND flash和NOR flash的区别详解

NAND flash和NOR flash的区别
一、NAND flash和NOR flash的性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
1、NOR的读速度比NAND稍快一些。
2、NAND的写入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
二、NAND flash和NOR flash的接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。
NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
六、位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用
七、EDC/ECC算法
这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
八、坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
九、易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
十、软件支持
当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。
驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

❽ NAND Flash和Nor Flash到底有什么区别

性能差别:对于Flash的写入速度，其实是写入和擦除的综合速度，Nand Flash擦除很简单，而Nor Flash需要将所有位全部写0(这里要说明一下，Flash器件写入只能把1写为0，而不能把0写为1,也就说，其写入的方式是按照逻辑与来进行的，譬如原来地址上的数据是0x01,写入0x98,地址存在的数据就是0x01&0x98 = 0x00), Nor Flash在64KB块进行写/擦除操作时，大概需要700ms的时间，而Nand Flash对32KB块进行操作，仅仅需要4ms。
容量差别:Nand Flash容量要比Nor Flash大得多，Nand:8M-4GB.Nor:1-32MB,因此对于嵌入式设备，Nand可以作为U盘或SD存储介质，Nor可以用来存储程序，如果不太考虑速度，代码可以在其中运行。
使用时间：Nand Flash是Nor Flash的十倍，Nand Flash是100万次擦写，Nor是10万次。
数据可靠性：Flash器件内部都是按照位操作，所以容易造成位交换，Nand Flash发生的次数比Nor要多，因此Nand Flash通过ECC算法来保证数据的可靠性。 下一篇预告: Nand Flash硬件接口与驱动实现

❾ NANDFLASH与eMMC的区别

NANDFLASH与eMMC的区别为：来源不同、用途不同、读取不同。

一、来源不同

1、NANDFLASH：NANDFLASH是东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发表的。

2、eMMC：eMMC为MMC协会所订立的。

二、用途不同

1、NANDFLASH：NANDFLASH适合用于储存卡之类的大量存储设备。

2、eMMC：eMMC主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。

三、读取不同

1、NANDFLASH：NANDFLASHI/O接口并没有随机存取外部地址总线，它必须以区块性的方式进行读取。

2、eMMC：eMMC在封装中集成了一个控制器，提供标准接口进行读取并管理闪存。

❿ 如何测试nandflash可靠性

/*说明：测试nandflash的可靠性，有的时候nandflash写进去的内容会变位比如写进去1，可是存储的值变成了0，为了测试这种情况的频率写了下面的测试用例*/

/*nandflash挂载在/home/test目录下，通过不停的往test目录下写两个文件A,B（随便两个文件二进制文件都可以），写进去的文件名和顺序A0，B0，A1，B1，A2，B2....,每写进入一个文件读出来和A或者B比较*/

/*如果一旦发现写满了就删除文件重写继续写，一直持续下去，如果发现读出来的内容和写进入的内容就报错，然后再写一次，如果还错就退出程序*/

#include <stdio.h>

#include <stdlib.h>

#include <unistd.h>

#include <string.h>

#include <fcntl.h>

#include <sys/statfs.h> //for statfs

#include <sys/vfs.h> //for statfs

#include <sys/types.h>

#include <sys/stat.h> //for stat

#include <sys/time.h>

#include "errno.h"

static int nandflash_wrong=0;

int check_remain_space(void)

{

int stat_flag=0;

int i;

struct statfs nandflash_stat;

long hdisk_remainder_space;

char path_name_check[32];

struct stat name_buf_check;

stat_flag = statfs("/home/test", &nandflash_stat);//获取nandflash的信息

if(stat_flag<0)

{

printf("get nandflash info error!\n");

return -1;

}

hdisk_remainder_space = (float)nandflash_stat.f_bsize * nandflash_stat.f_bfree / 1024;//检测磁盘空间

if(hdisk_remainder_space<8*1024) //至少保留8M的空间

{

for(i=0;i<200;i++)

{

sprintf(path_name_check,"/home/test/A%d",i);

stat(path_name_check,&name_buf_check);

if(errno!=ENOENT) //文件存在，则删除

{

unlink(path_name_check);//不能重名

}

sprintf(path_name_check,"/home/test/B%d",i);

stat(path_name_check,&name_buf_check);

if(errno!=ENOENT) //文件存在，则删除

{

unlink(path_name_check);//不能重名

}

}

sleep(20); //删除文件并不是立即删除，所以要等待文件删除之后再写,防止写的速度比删除速度快，导致磁盘被写满的情况而出错

return 1;

}

return 0;

}

int write_read_nandflash(int mark,unsigned int i,int file_size,char *write_buf,char *read_buf)

{

FILE *fp;

char path_name[32];

unsigned long buf_count=0;

struct stat name_buf;

if( mark == 0 )

{

sprintf(path_name,"/home/test/A%d",i);//生成不同的文件名A0，A1，A2，A3.......

}

else

{

sprintf(path_name,"/home/test/B%d",i);

}

stat(path_name,&name_buf);

if(errno!=ENOENT) //文件存在，则删除

{

unlink(path_name);//不能重名

sleep(3);

}

if((fp=fopen(path_name,"w"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

fwrite(write_buf,file_size,1,fp);

fclose(fp);

// printf("write file name is:%s\n",path_name);

if((fp=fopen(path_name,"r"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

fread(read_buf,file_size,1,fp);

for(buf_count=0;buf_count<(file_size-1);buf_count++)//将master/slave文件写到nandflash中的内容读出来比较

{

if(read_buf[buf_count]!=write_buf[buf_count])

{

system("date");//出错的时候打印的系统时间

printf("file name is %s:\n",path_name);

unlink(path_name);

sleep(3);

if((fp=fopen(path_name,"w"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

nandflash_wrong++;

fwrite(write_buf,file_size,1,fp);//出错之后再写一次

fclose(fp);

if((fp=fopen(path_name,"r"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

fread(read_buf,file_size,1,fp);

for(buf_count=0;buf_count<(file_size-1);buf_count++)

{

if(read_buf[buf_count]!=write_buf[buf_count])

{

printf("file name is %s:\n",path_name);

printf("write twice failed!\n");

fclose(fp);

return -1;

}

}

}

}

fclose(fp);

return 0;

}

int main(void)

{

int A_size,B_size;

A_size=B_size=0;

int A_fd,B_fd;

char *A_buf_read=NULL;

char *B_buf_read=NULL;

char *A_buf_write=NULL;

char *B_buf_write=NULL;

unsigned int iteation=0;

int ret;

A_fd=0;

A_fd=open("/home/A",O_RDONLY);

if(A_fd<0)

{

printf("open A faild!\n");

return -1;

}

A_size=lseek(A_fd,0,SEEK_END);

lseek(A_fd,0,SEEK_SET);

A_buf_write=(char *)malloc(A_size);

if(NULL == A_buf_write)

{

printf("A_buf_write malloc failed!\n");

close(A_fd);

return -1;

}

A_buf_read=(char *)malloc(A_size);

if(NULL == A_buf_read)

{

printf("A_buf_read malloc failed!\n");

close(A_fd);

return -1;

}

if(read(A_fd,A_buf_write,A_size)<0)

{

close(A_fd);

printf("read A file failed\n");

}

close(A_fd);

B_fd=0;

B_fd=open("/home/B",O_RDONLY);

if(B_fd<0)

{

printf("open B faild!\n");

return -1;

}

B_size=lseek(B_fd,0,SEEK_END);

lseek(B_fd,0,SEEK_SET);

B_buf_write=(char *)malloc(B_size);

if(NULL == B_buf_write)

{

printf("B_buf_write malloc failed!\n");

close(B_fd);

return -1;

}

B_buf_read=(char *)malloc(B_size);

if(NULL == B_buf_read)

{

printf("B_buf_read malloc failed!\n");

close(B_fd);

return -1;

}

if(read(B_fd,B_buf_write,B_size)<0)

{

printf("read B file failed\n");

close(B_fd);

}

close(B_fd);

system("date");//测试开始，开始读写nandflash

while(1)

{

if((ret=check_remain_space())<0)//检测磁盘空间，小于8M,要删除文件重新从A0，B0，A1，B1，A2，B2。。。。写

{

printf("check space wrong\n");

return -1;

}

else if(ret==1)

{

iteation=0;

}

if(write_read_nandflash(0,iteation,A_size,A_buf_write,A_buf_read)<0)//write A to nand and read it to compare

{

printf("write_read nand flash wrong\n");

return -1;

}

if(write_read_nandflash(1,iteation,B_size,B_buf_write,B_buf_read)<0)//write B

{

printf("write_read nand flash wrong\n");

return -1;

}

iteation++;

}

return 0;

}