中环股份区熔性单晶硅

A. 中国光伏企业四大巨头是哪四个

四大光伏企业分别是英利绿色能源控股有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、常州天合光能有限公司和苏州阿特斯阳光电力科技有限公司。

1、英利绿色能源控股有限公司：

一家全球领先的太阳能公司，也是全球最大的垂直一体化光伏发电产品制造商之一。业务主要涉及光伏组件的设计、制造和销售，产品主要销往德国、西班牙、意大利、希腊、法国、韩国、中国和美国等国家和地区，总部位于中国保定。

(1)中环股份区熔性单晶硅扩展阅读

阿特斯阳光电力集团成立19年来（2001年成立），通过多元化发展战略和市场布局，阿特斯已在全球7个国家和地区成立了16家光伏硅片、电池和组件生产企业，并在20多个国家和地区建立了分支机构。

阿特斯通过创新提高组件功率及单瓦发电量，降低度电成本。阿特斯研发的超410瓦黑硅多晶PERC双面半片电池组件，成为全球正面功率就超过400瓦的双面多晶组件，组件背面发电双面率高达75%。

在不同地面安装环境下，其组件背面发电增益最高可达30%。而由阿特斯研发并推出的十款组件，最高功率已超435瓦。

B. 请问直拉单晶硅（CZ）区熔单晶硅（FZ）的英文全称

CZ和FZ是“直拉”和“区熔”的缩写
下面仅供参考：
直拉条 straight brace
直拉条架 straight-braced frame

单晶硅 monocrystalline silicon; silicon single crystal; single crystal silicon; single-crystal silicon
单晶硅棒 silicon single crystal rod
单晶硅抛光剂 polishing agent for mono-crystalline silicon
单晶硅研磨材料 lapping material for mono-crystalline silicon

区熔 zone melt
区熔法装置 zone melting apparatus
区熔技术 zone-melting technique
区熔空段法 zone-void process
区熔模拟计算机 zone-melting analog computer
区熔色谱法 zone melting chromatography
区熔提纯 zone-refine
区熔提纯法 floating zone refining method

C. 区熔单晶是什么

区熔硅单晶(float zone silicon crystal)

用区熔法单晶生长技术制备的半导体硅材料，是重要的硅单晶产品。由于硅熔体与坩埚容器起化学作用，而且利用硅表面张力大的特点，故采用悬浮区熔法，简称FZ法或FZ单晶。
特点和应用 由于不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高。用于制作电力电子器件、光敏二极管、射线探测器、红外探测器等。Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，这一方面不会产生由氧形成的施主与沉积物，但其机械强度却不如直拉单晶硅，在器件制备过程中容易产生翘曲和缺陷。在Fz单晶中掺入氮可提高其强度。

工艺特点 大直径生长，比直拉硅单晶困难得多，要克服的主要问题是熔区的稳定性。这可用“针眼技术”解决，在FZ法中这是一项重大成就。另一项重大成就是中子嬗变掺杂。它使电力电子器件得到飞跃发展。Fz技术无法控制熔体对流和晶／熔边界层厚度，因而电阻率的波动比cZ单晶大。高的电阻率不均匀性限制了大功率整流器和晶闸管的反向击穿电压。利用中子嬗变掺杂可获得掺杂浓度很均匀的区熔硅(简称NTD硅)，从而促进了大功率电力电子器件的发展与应用。区熔硅的常规掺杂方法有硅芯掺杂、表面涂敷掺杂、气相掺杂等，以气相掺杂最为常用。晶体缺陷 区熔硅中的晶体缺陷有位错和漩涡缺陷。中子嬗变晶体还有辐照缺陷，在纯氢或氩一氢混合气氛中区熔时，常引起氢致缺陷。其中漩涡缺陷有A、B、C和D四种，其特性及易出现的主要条件列于 漩涡缺陷有害，它使载流子寿命下降，进而导致器件特性劣化。在器件工艺中它可转化为位错、层错及形成局部沉淀，从而造成微等离子击穿或使PN结反向电流增大。这种缺陷不仅使高压大功率器件性能恶化，而且使CCD产生暗电流尖峰。在单晶制备过程中减少漩涡缺陷的措施有尽量降低碳含量、提高拉晶速度等。’ 90年代的水平90年代以来达到的是：区熔硅单晶的最大直径为150mm，并已商品化，直径200mm的产品正在试验中。晶向一般为<111)和<100>。
(1)气相掺杂区熔硅单晶。N型掺磷、P型掺硼。无位错、无漩涡缺陷。碳浓度[C。]<2×10“at／cm3，典型的可<5×1015at／cm3。氧浓度<1×1016at／cm3。电阻率范围和偏差列于表2，少子寿命值列于表3。

D. 区熔法制备单晶硅的工业流程的具体步骤和图片

不知道能不能帮忙的。

图FZ法单晶硅拉晶运作原理和结构

悬浮区熔法：

主要用于提纯和生长硅单晶；其基本原理是：依靠熔体的表面张力，使熔区悬浮于多晶硅

棒与下方生长出的单晶之间，通过熔区向上移动而进行提纯和生长单晶。具有如下特点：

1.不使用坩埚，单晶生长过程不会被坩埚材料污染

2.由于杂质分凝和蒸发效应，可以生长出高电阻率硅单晶

E. 单晶硅概念股有哪些

兰花科创：重庆兰花太阳能电力股份有限公司建设的1000吨单晶硅项目，分两期建设，一期为500吨。兰花太阳能的主要产品是单晶硅片。该项目目前仍处于建设阶段，单晶硅棒生产车间设备安装已完成60%，并试生产出一小部分单晶硅棒，还未进入批量生产。单晶硅棒属于单晶硅片的中间产品。单晶硅片生产车间设备还未安装到位。

大港股份：公司完成了对子公司大成硅科技剩余25％股权的收购工作，大成硅科技有限公司主要从事晶体硅太阳能电池硅切片、硅棒的生产、销售。2008年7月1日，大成硅科技、江苏辉伦和公司在江苏省镇江市就太阳能单晶硅片购销签订《购销合同》。大成硅科技向江苏辉伦提供符合约定技术标注的125mm×125mm太阳能单晶硅片，合同金额45333万元，供货时间为2008年第三季度开始到2009年第四季度结束。

中环股份：从事半导体分立器件和单晶硅材料研发、生产和销售，主要产品为高压硅堆、硅桥式整流器、快恢复整流二极管、单晶硅及硅切磨片等，其中分立器件产品主要应用于电视机、显示器、微波炉等各类电器；单晶硅材料主要应用于半导体集成电路、半导体分立器件、太阳能电池等。公司与航天机电共同组建内蒙古中环光伏有限材料公司，共同打造内蒙古光伏产业基地项目。该项目分四期建设，目标是建成年产800-1000MW太阳能单晶硅锭、硅片的生产基地。

拓日新能：国际上只有西门子、夏普、德国RWE等几个厂家能够同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅三种太阳能电池，公司是国内唯一一家，公司使用的生产设备自制化程度高达70％以上。打破国内太阳能电池产业“国外设备垄断、国外技术包干”的双垄断格局。

亿晶光电：将采取资产置换以及发行股份购买资产的方式置入亿晶光电100％股权，进军光伏行业，亿晶光电也将成功借壳上市。据了解，亿晶光电已形成较为完善的光伏产业链，成为国内仅有的三家拥有垂直一体化产业链且产能在200MW以上的太阳能电池组件生产企业之一。重组后，海通集团的主业将从果蔬农产品加工和销售变更为单晶硅棒、单晶硅（多晶硅）片、太阳能电池片及太阳能电池组件的生产及销售。

有研新材：公司处在多晶硅产业链条的中间。大股东为北京有色金属研究总院，主营单晶硅、锗、化合物半导体材料的研究、开发和生产，其主导产品单晶硅为太阳能电池重要原材料。公司充分利用大直径单晶回收料，成功将其用于生产太阳能电池用单晶硅。

中环股份：10月12日午间公告，公司全资子公司天津环欧半导体材料技术有限公司，针对未来全球光伏市场对高效率太阳能电池的发展需求，利用多年在半导体级直拉区熔（CFZ）晶体生长技术的持续研发和专业经验，成功研发了 “适用于太阳能单晶的新型直拉区熔法单晶（CFZ单晶）硅片”，并已申请发明专利。

F. 天津有哪些太阳能光伏行业的企业 最好是切片公司（多晶、单晶）、铸锭也行； 知道哪里有招聘嘛

天津中环半导体股份有限公司啊，简称中环股份，上市公司，股票代码002129。
公司是一家集半导体材料-新能源材料和节能型半导体器件-新能源器件科研、生产、经营、创投于一体的国有控股企业，拥有全球独特的双产业链，是天津市高新技术企业，拥有1个博士后科研工作站、2家省部级研发中心。
公司单晶硅品种齐全，其中区熔系列单晶硅产品产销规模全球排名第三、国内市场份额超过70%，产量和市场占有率已连续多年居国内同行业首位；直拉单晶及硅片技术和产销规模方面居国内前列；抛光片产业采用国际一流的新技术、新工艺流程，独立开发具有自主知识产权的大直径硅抛光片生产技术，研发和产业化水平处于国内领先位置；太阳能硅材料产业经过产业化生产验证，与国内同行业相比单位兆瓦直拉晶体生长投资下降了33%以上，生产效率提高了60%以上，生产成本降低了25%以上；半导体整流器件产业经过多年技术创新的积淀，掌握了从芯片到封装的全套核心技术；节能型半导体功率器件产业在净化间设计、动力配套、装备水平、产品品种、产品技术方面均处于国内同行业领先水平。

G. 单晶硅是什么

单晶硅是硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

(7)中环股份区熔性单晶硅扩展阅读：

主要用途

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅的制法通常是先制的多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。

单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。

区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

H. 单晶硅是谁研究出来的

硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
用途：单晶硅具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随着温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成P型半导体，掺入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。
单晶硅是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。在开发能源方面是一种很有前途的材料。
单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法、区熔法和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。