① 离子刻蚀机和PVD有什么区别
离子刻蚀机主要是用于刻蚀硅片用的,pvd是物理沉积,蒸镀之类的内容
② 刻蚀机干刻有过刻什么原因
呵呵,我以前在半导体做了两年啊!懂一点点吧! 以前我在的是蚀刻区!半导体制蚀刻(Etching) (三)蚀刻(Etching) 蚀刻的机制,按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻,包含...3731
③ 等离子刻蚀机和光刻机的产品是一样的吗
用激光刻蚀的机器,比如做芯片的用来刻蚀电路,又比如激光雕刻
④ 国外icp氮化镓刻蚀机厂商都有那几家
太阳电池制作工艺太阳能电池工艺简介及厂房建设总结 我公司从02年开始,先后承接过目前国内太阳能电池行业主流公司的一系列项目(从硅片制造到组件生产),通过完成这些项目的设计、施工和二次配,我公司无疑已成为业内承接太阳能电池生产厂房的最专业公司。我自己还见证了以上某项目从破土动工到正式投产,甚至停产改造的所有过程,也曾去过兄弟太阳能项目,通过现场的亲历和对这些公司施工图的研读,对太阳能电池的生产工艺及厂房及建设略知一二,愿在此与大家探讨。 一、工艺简介 在上一次《太阳能电池的一些资讯》中,对于生产原理,我已经做过叙述,太阳能电池生产工艺一般分为:扩散前清洗、扩散、扩散后清洗、刻蚀、PECVD,丝网印刷,烧结,分类检测和封装。 扩散前清洗的目的在于制绒,就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过强酸和强碱腐蚀,使其凸凹不平,变得粗糙,形成漫反射,减少直射到硅片表面的太阳能的损失。相关设备有无锡瑞宝,德国RENA,深圳捷佳创,这些设备中最好的是RENA,因为他不光卖设备,还卖制绒工艺的专利。所使用的介质有HF,HCL,HNO3,NaOH,Na2SiO3和乙醇等。动力源有自来水,纯水,压缩空气,氮气,工艺冷却水,废水,热排风和酸排风。 扩散的目的在于形成PN结。硅片含硼,是P型结物质,需要往里面掺杂磷,使电子发生移动,形成PN结空穴。所使用的介质有POCL3,N2,O2。动力源有压缩空气,氮气,工艺冷却水,热排风和有机排风。使用的设备是高温扩散炉,厂商有SVCS,TEMPRESS,长沙48所等。该道工艺有洁净要求,需要在洁净室内运行。因为扩散炉内的石英管需要清洗,所以需要增加一种石英管清洗机。 扩散后清洗的目的在于洗去扩散时形成的磷硅玻璃,即SiO2和 P2O5的混合物,所以扩散后清洗机又叫做去磷硅玻璃清洗机。动力源有氮气,压缩空气,纯水,HF,热排风,酸排风,废水等。设备有深圳捷佳创。 刻蚀的目的在于把硅片的边缘PN结断开,防止短路。目前国内所使用的设备几乎都是长沙48所的。动力源有CF4,N2,NH3,热排风,有机排风。 PECVD的目的在于镀氮化硅薄膜,增加折射率,同时掺杂H元素,使缺陷减少,还可以保护硅片。所用设备有德国的ROTH&RAW平板式PECVD设备,还有CENTROTHERMO的管式PECVD设备。动力源有SiH4,NH3,氮气,压缩空气,工艺冷却水,热排风,硅烷排风等。 丝网印刷的目的在于印刷导电电极。先印背面,再印正面。目前国内大多数厂家使用设备是意大利的BACCINI印刷线。动力源有真空,压缩空气,热排风,有机排风等。 烧结的目的是把电极烧结在PN结上。高温烧结可以使电极穿透氮化硅膜,形成合金。所用设备有美国DESPACH等。动力源有压缩空气,工艺冷却水,热排风,有机排风等。 分类检测的目的在于把电池片按照效率进行分类。目前国内大多数厂家使用设备是意大利的BACCINI检测仪。动力源有真空,压缩空气。 最后一道工艺就是热塑包装。 二、厂房建设经验总结 一条年产量25MW的生产线,设备占地至少需要1100平方米,而国内厂商一般很少有只计划一条线的公司,所以太阳能电池生产车间净面积都在2000平方米以上。按照16小时甚至24小时生产来计算,工艺人员不下于百人,所以相应的办公室,更衣间,食堂,宿舍,卫生间等设施都不能太小。外线动力站(制冷,供热,纯水,空压,真空,空调,工艺冷却水,消防,变配电,自控,通讯等)房总面积不小于2000平方米。厂房和动力站房有钢筋混凝土框架结构,多层建筑的,也有钢结构加金属复合板单层建筑的,但布置工艺和动力设备的楼层,因管线众多,层高都较大,至少是7米。 以下经验总结均以50MW生产线为例。 电源是整个工厂的首要条件,仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右,必须有可靠的电能供应。PECVD设备,制冷机,空压机,空调风机和循环水泵是用电功率较大的设备。 工艺纯水的用量在15吨/小时左右,水质标准都要达到中国电子级水的技术指标GB/T11446.1-1997中EW-1级。工艺冷却水用量也在15吨/小时左右,水质中微粒粒径不宜大于10微米,供水温度宜在15-20℃,供水压力5巴左右,应有可靠的温度,供水压力控制,最好采用变频泵。 压缩空气用量在400NM3/H左右,如果空气品质要求较高,如需要达到压缩空气质量等级的1级甚至更高要求,建议使用无油空压机。如果露点温度要求苛刻,干燥机建议使用组合式。真空排气量在300M3/H左右,水环式真空泵虽然便宜,但是效率下降的也快,不推荐使用。氮气和氧气如果靠近大的气体供应站,一般采用液体储罐供应的方式,初投资低,氮气储罐20立方米左右,氧气10立方米足够。特殊气体如硅烷等,考虑安全因素,单独设置一个特气间还是很有必要的。 空调系统的空气处理方式则视具体土建情况而言,可以采取组合式空气处理机组集中处理,也可以采用干盘管进行分散处理。生产车间出扩散区外,温湿度均只要满足人体舒适性即可,建议冬夏能有一定变化,这样既可节能,又让人能适应室内外温度变化,不易感冒。扩散区由于对洁净度要求较高,需要设计独立的空气处理系统,主要关注的是洁净度,该区散热量也较大。酸排气量不小于10000M3/H,一般采用湿式洗涤、中和的处理方式。有机排气量也不小于10000M3/H,一般采用干式吸附法处理。热排风量也不小于13000M3/H,因为只是普通排气,可以不用处理,直接排放即可。相对而言,硅烷处理要谨慎,否则容易起火。 整个施工试车过程中,特别要注意的是水,气通入设备之前除做好强度严密性试验,确保无渗漏外;务必保证清洗、吹扫试验要干净彻底,否则,设备一旦被污染,再次清洗不但代价昂贵,甚至会造成重大损失。二次配管时,某些设备的特殊需要,则根据业主的要求和初投资而定,如扩散炉具有较强腐蚀性的高温酸性排风;供强酸、强碱、特气的多层管路,PECVD、刻蚀机的隔声泵房等。 厂房设计和施工公司的选择,是考验投资方智慧和眼光的大事,切不可因一时便宜而选择之。没有选择好专业的公司,将会付出成沉重的代价。 工厂建成以后,最重要的就是运行维护。太阳能电池厂房动力保障是一个复杂的系统,需要至少2-4名理论功底扎实,动手能力强、富有高度责任感的工程师核心队伍,经常对各动力系统进行巡察,及时分析和解决出现的问题,甚至适时提出改造方案;否则不能及时发现隐患,很可能等问题出现时导致停产。
⑤ ICP刻蚀机反射功率过高
反偏过高是因为功率匹配的不好~主要是不清楚你们是什么样的刻蚀机。
⑥ 中国的光刻机与刻蚀机已经达到世界先进水平,为什么有些人还说中国芯片业依旧前路艰辛
据媒体报道,2018年12月,中微半导体设备(上海)有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证,性能优良,将用于全球首条5纳米制程生产线。5纳米,相当于头发丝直径(约为0.1毫米)的二万分之一,将成为集成电路芯片上的最小线宽。台积电计划2019年进行5纳米制程试产,预计2020年量产。
中国的刻蚀机的确是达到了世界先进水平,光刻机还早,而且就算是这两样都世界先进了,不代表中国芯片业的前路就不艰辛了。目前中国的刻蚀机的确领先,5纳米等离子体刻蚀机已经通过台积电验证;但是光刻机就差多了,之前新闻报道中提到的“中科院SP超分辨光刻机”其实最多只能算是一个“原型机”,和ASML的光刻机不能相提并论,也不能用来制造芯片,还需要攻克一系列的技术难题退一步讲,就算是中国的光刻机与刻蚀机都达到世界领先就解决问题了么?ASML的EUV光刻机我们已经下单等待交货了,是不是到货以后中国就可以生产7nm甚至是5nm的芯片了不要把问题想简单了,以为芯片也只有光刻机和刻蚀机。芯片制造的技术、经验、工艺以及人才是一个系统性的工程,台积电也不是一天建成的,有了光刻机也不代表我们就能造出最顶尖的芯片。
⑦ 你们厂有没有二手喷刻蚀机卖啊我也是做蚀刻的。买不起新的就买旧的。呵呵
你好,我们的蚀刻机也都是新的, 没有二手的,我们可以给你定做经济实惠的机型哦。
⑧ 为什么中国的5纳米刻蚀机不能突破华为的芯片压制eimkt
中国目前还没有生产出五纳米刻蚀机,而且华为芯片从设计到制造都需要国外的技术和设备,并不是只缺一台光刻机。
⑨ 光刻机和刻蚀机的区别
刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去,然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案(或者没有图案)的部分,留下剩余的部分。
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。
“刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。
(9)刻浊机股票扩展阅读:
光刻机一般根据操作的简便性分为三种,手动、半自动、全自动
1.手动:指的是对准的调节方式,是通过手调旋钮改变它的X轴,Y轴和thita角度来完成对准,对准精度可想而知不高了;
2.半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐;
3.自动: 指的是 从基板的上载下载,曝光时长和循环都是通过程序控制,自动光刻机主要是满足工厂对于处理量的需要。