2013年111月份多晶硅進口量及價格

⑴ 多晶硅現在國際市場上什麼價格 國內什麼價格

陣痛中變局悄然蘊育 「盡管今年3月底，多晶硅現貨價格已跌破每公斤100美元，但在供需關系失衡情況下，隨時會降到每公斤70美元以下。」上海一位業內人士在自己的博客中表達了這樣的觀點。 呂錦標說：「每公斤70美元是肯定會出現的，但具體什麼時候會降到這樣的低價位，行業內沒人能預測到，只有市場才有發言權。」 業內人士認為，以前，多晶硅千噸級生產線技術被海外7家公司壟斷，暴利很大程度上是壟斷的產物。現在國內多家公司已基本掌握這一技術，多晶硅進入了自由競爭時代，價格跌破每公斤100美元是利潤的合理回歸。 目前，國內多晶硅行業普遍採用三氯氫硅還原法，是否閉環生產是決定該工藝能耗和原料利用率的決定性因素，也是降低成本的關鍵。三氯氫硅還原法，千噸級以下生產線一般沒有投入成熟的尾氣處理工藝，達不到閉環生產和循環利用物料。 江蘇省光伏產業協會秘書長魏啟東介紹，國內公司的多晶硅成本普遍在每公斤50美元至70美元，個別沒有閉環式生產的公司，成本達每公斤100美元以上。 據了解，多晶硅行業的陣痛已經到來，有些公司正在建設中的多晶硅項目放緩了施工進度，一些規劃中還未開工的項目則被取消。已建成的項目中，2008年三季度後投產的項目，其投資收益率將遠低於預期。 業內一些分析師認為：「今明兩年，國內多晶硅公司很可能上演激烈的價格戰，行業大洗牌中，誰佔有成本優勢，誰就能成為競爭中的領跑者。」 江蘇中能總裁兼首席執行官江游說：「太陽能光伏發電的前景長期向好，但自由競爭下，多硅行業暴利將如黃鶴般一去不返。從現在開始，行業內的公司應練好『內功』，通過提升技術、改良工藝、加強管理等手段，降低成本。」

⑵ 多晶硅多少錢一噸

多晶硅的價格自2003年以來一直漲價,已經從最初的約300美元/噸上漲至目前現貨約4300美元/噸

⑶ 為什麼我國從國外進口大量多晶硅

從香港中轉進口什麼都不需要啊!而且能大大降低成本!!

⑷ 哪位兄弟解釋下多晶硅料和單晶硅料的區別啊

多晶硅;polycrystalline silicon 性質：灰色金屬光澤。密度2.32~2.34。熔點1410℃。沸點2355℃。溶於氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶於水、硝酸和鹽酸。硬度介於鍺和石英之間，室溫下質脆，切割時易碎裂。加熱至800℃以上即有延性，1300℃時顯出明顯變形。常溫下不活潑，高溫下與氧、氮、硫等反應。高溫熔融狀態下，具有較大的化學活潑性，能與幾乎任何材料作用。具有半導體性質，是極為重要的優良半導體材料，但微量的雜質即可大大影響其導電性。電子工業中廣泛用於製造半導體收音機、錄音機、電冰箱、彩電、錄像機、電子計算機等的基礎材料。由乾燥硅粉與乾燥氯化氫氣體在一定條件下氯化，再經冷凝、精餾、還原而得。 多晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現在物理性質方面。例如，在力學性質、光學性質和熱學性質的各向異性方面，遠不如單晶硅明顯；在電學性質方面，多晶硅晶體的導電性也遠不如單晶硅顯著，甚至於幾乎沒有導電性。在化學活性方面，兩者的差異極小。多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區別，但真正的鑒別須通過分析測定晶體的晶面方向、導電類型和電阻率等。 多晶硅是生產單晶硅的直接原料，是當代人工智慧、自動控制、信息處理、光電轉換等半導體器件的電子信息基礎材料。被稱為「微電子大廈的基石」。 在太陽能利用上，單晶硅和多晶硅也發揮著巨大的作用。雖然從目前來講，要使太陽能發電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產成本。從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。 從工業化發展來看，重心已由單晶向多晶方向發展，主要原因為；[1]可供應太陽電池的頭尾料愈來愈少；[2] 對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；[3]多晶硅的生產工藝不斷取得進展，全自動澆鑄爐每生產周期（50小時）可生產200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達到厘米級；[4]由於近十年單晶硅工藝的研究與發展很快，其中工藝也被應用於多晶硅電池的生產，例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極，採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達到15微米以上，快速熱退火技術用於多晶硅的生產可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鍾之內完成，採用該工藝在100平方厘米的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14％。據報道，目前在50～60微米多晶硅襯底上製作的電池效率超過16％。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘米多晶上效率超過17％，無機械刻槽在同樣面積上效率達到16％，採用埋柵結構，機械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達到15.8％。 一、國際多晶硅產業概況 當前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場佔有率在90％以上,而且在今後相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產技術長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術封鎖、市場壟斷的狀況。 多晶硅的需求主要來自於半導體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用於電子級多晶硅佔55％左右，太陽能級多晶硅佔45％，隨著光伏產業的迅猛發展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高於半導體多晶硅的發展，預計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。 1994年全世界太陽能電池的總產量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年裡就增長了17倍。專家預測太陽能光伏產業在二十一世紀前半期將超過核電成為最重要的基礎能源之一。 據悉，美國能源部計劃到2010年累計安裝容量4600MW，日本計劃2010年達到5000MW，歐盟計劃達到6900MW，預計2010年世界累計安裝量至少18000MW。從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預測。據國外資料分析報道，世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應求，從2006年開始太陽能級和半導體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產能缺口更大。 據日本稀有金屬雜志2005年11月24日報道，世界半導體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由於以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預計2006年，2007年多晶硅供應不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25％，到2010年全世界半導體用於太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。 世界多晶硅主要生產企業有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美國的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德國的Wacker公司等，其年產能絕大部分在1000噸以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三個公司生產規模最大，年生產能力均在3000－5000噸。 國際多晶硅主要技術特徵有以下兩點： （1）多種生產工藝路線並存，產業化技術封鎖、壟斷局面不會改變。由於各多晶硅生產工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產工藝技術不同；進而對應的多晶硅產品技術經濟指標、產品質量指標、用途、產品檢測方法、過程安全等方面也存在差異，各有技術特點和技術秘密，總的來說，目前國際上多晶硅生產主要的傳統工藝有：改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產的多晶硅的產能約佔世界總產能的80％，短期內產業化技術壟斷封鎖的局面不會改變。 （2）新一代低成本多晶硅工藝技術研究空前活躍。除了傳統工藝（電子級和太陽能級兼容）及技術升級外，還涌現出了幾種專門生產太陽能級多晶硅的新工藝技術，主要有：改良西門子法的低價格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接製取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；還原或熱分解工藝；無氯工藝技術，Al－Si溶體低溫制備太陽能級硅；熔鹽電解法等。 二、國內多晶硅產業概況 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司是世界規模最大的太陽能多晶矽片生產企業。工廠坐落於江西省新余市經濟開發區，專注於太陽能多晶硅鑄錠及多晶矽片研發、生產、銷售為一體的高新技術光伏企業，擁有國際最先進的生產技術和設備。公司注冊資金11095萬美元，總投資近3億美元。2006年4月份投產， 7月份產能達到100兆瓦，8月份入選「RED HERRING亞洲百強企業」，10月份產能達到200兆瓦，被國際專業人士稱為「LDK速度奇跡」。榮獲「2006年中國新材料產業最具成長性企業」稱號。 目前公司正致力於發展成為一個「世界級光伏企業」。 2007年6月1日，賽維LDK成功在美國紐約證交所上市，成為中國企業歷史上在美國單一發行最大的一次IPO；賽維LDK是江西省企業有史以來第一次在美國上市的企業，是中國新能源領域最大的一次IPO。 該公司1.5萬噸硅料項目近日已在江西省新余市正式啟動，該項目總固定資產投資120億元以上，預計將成為目前全球太陽能領域單個投資額最多、產能設計規模最大的項目之一。 據悉，該項目計劃首期在2008年底前建成投產，形成6000噸太陽能級硅料的年生產能力；2009年項目全部建成投產後，將形成1.5萬噸產能，從而使該公司成為世界主要的太陽能多晶硅原料生產企業。
[編輯本段]多晶硅產業發展預測
高純多晶硅是電子工業和太陽能光伏產業的基礎原料，在未來的50年裡，還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產業主要原材料。 隨著信息技術和太陽能產業的飛速發展，全球對多晶硅的需求增長迅猛，市場供不應求。世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸。半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15600噸，供不應求。近年來，全球太陽能電池產量快速增加，直接拉動了多晶硅需求的迅猛增長。全球多晶硅由供過於求轉向供不應求。受此影響，作為太陽能電池主要原料的多晶硅價格快速上漲。 中國多晶硅工業起步於20世紀50年代，60年代中期實現了產業化，到70年代，生產廠家曾經發展到20多家。但由於工藝技術落後，環境污染嚴重，消耗大，成本高等原因，絕大部分企業虧損而相繼停產或轉產。到目前為止，國內有多晶硅生產條件的單位有洛陽中硅高科技有限公司、峨嵋半導體材料廠（所）、四川新光硅業科技有限責任公司3家企業。 中國集成電路和太陽能電池對多晶硅的需求快速增長，2005年集成電路產業需要電子級多晶硅約1000噸，太陽能電池需要多晶硅約1400噸；到2010年，中國電子級多晶硅年需求量將達到約2000噸，光伏級多晶硅年需求量將達到約4200噸。而中國多晶硅的自主供貨存在著嚴重的缺口，95%以上多晶硅材料需要進口，供應長期受制於人，再加上價格的暴漲，已經危及到多晶硅下游眾多企業的發展，成為制約中國信息產業和光伏產業產業發展的瓶頸問題。 由於多晶硅需求量繼續加大，在市場缺口加大、價格不斷上揚的刺激下，國內涌現出一股搭上多晶硅項目的熱潮。多晶硅項目的投資熱潮，可以說是太陽能電池市場迅猛發展的必然結果，但中國硅材料產業一定要慎重發展，不能一哄而上；關鍵是要掌握核心技術，否則將難以擺脫受制於人的局面。 作為高科技產業，利用硅礦開發多晶硅，產業耗能大，電力需求高。目前電價已成為中國大多數硅礦企業亟待突破的瓶頸之一。因此中國大力發展多晶硅產業，亟需在條件成熟的地方制定電價優惠政策，降低成本。 由於需求增加快速，但供給成長有限，預估多晶硅料源的供應2007年將是最嚴重缺乏的一年，預計到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達到6.5萬噸。在未來的3至5年間，也就是在中國的「十一五」期間，將是中國多晶硅產業快速發展的黃金時期。
[編輯本段]多晶硅行業發展的主要問題
同國際先進水平相比，國內多晶硅生產企業在產業化方面的差距主要表現在以下幾個方面： 1、產能低，供需矛盾突出。2005年中國太陽能用單晶硅企業開工率在20％－30％，半導體用單 晶硅企業開工率在80％－90％，無法實現滿負荷生產，多晶硅技術和市場仍牢牢掌握在美、日、德國的少數幾個生產廠商中，嚴重製約我國產業發展。 2、生產規模小、現在公認的最小經濟規模為1000噸/年，最佳經濟規模在2500噸/年，而我國現階段多晶硅生產企業離此規模仍有較大的距離。 3、工藝設備落後，同類產品物料和電力消耗過大，三廢問題多，與國際水平相比，國內多晶硅生產物耗能耗高出1倍以上，產品成本缺乏競爭力。 4、千噸級工藝和設備技術的可靠性、先進性、成熟性以及各子系統的相互匹配性都有待生產運行驗證，並需要進一步完善和改進。 5、國內多晶硅生產企業技術創新能力不強，基礎研究資金投入太少，尤其是非標設備的研發製造能力差。 6、地方政府和企業項目投資多晶硅項目，存在低水平重復建設的隱憂。 7·產生大量污染。
[編輯本段]多晶硅行業發展的對策與建議
1、發展壯大我國多晶硅產業的市場條件已經基本具備、時機已經成熟，國家相關部門加大對多晶硅產業技術研發，科技創新、工藝完善、項目建設的支持力度，抓住有利時機發展壯大我國的多晶硅產業。 2、支持最具條件的改良西門子法共性技術的實施，加快突破千噸級多晶硅產業化關鍵技術，形成從材料生產工藝、裝備、自動控制、回收循環利用的多晶硅產業化生產線，材料性能接近國際同類產品指標；建成節能、低耗、環保、循環、經濟的多晶硅材料生產體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。 3、依託高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術基礎性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發的知識及技術創新體系，獲得具有自主知識產權的生產工藝和技術。 4、政府主管部門加強宏觀調控與行業管理，避免低水平項目的重復投資建設，保證產業的有序、可持續發展。
中文別名：硅單晶 英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 分子量：28.086 CAS 號：7440-21-3 單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處於新材料發展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等。由於太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優勢，近三十年來，太陽能利用技術在研究開發、商業化生產、市場開拓方面都獲得了長足發展，成為世界快速、穩定發展的新興產業之一。
[編輯本段]發展現狀
單晶硅建設項目具有巨大的市場和廣闊的發展空間。在地殼中含量達25.8%的硅元素，為單晶硅的生產提供了取之不盡的源泉。 近年來，各種晶體材料，特別是以單晶硅為代表的高科技附加值材料及其相關高技術產業的發展，成為當代信息技術產業的支柱，並使信息產業成為全球經濟發展中增長最快的先導產業。單晶硅作為一種極具潛能，亟待開發利用的高科技資源，正引起越來越多的關注和重視。 與此同時，鑒於常規能源供給的有限性和環保壓力的增加，世界上許多國家正掀起開發利用太陽能的熱潮並成為各國制定可持續發展戰略斬重要內容。 在跨入21世紀門檻後，世界大多數國家踴躍參與以至在全球范圍掀起了太陽能開發利用的「綠色能源熱」，一個廣泛的大規模的利用太陽能的時代正在來臨，太陽能級單晶硅產品也將因此炙手可熱。 此外，包括我國在內的各國政府也出台了一系列「陽光產業」的優惠政策，給予相關行業重點扶持，單晶硅產業呈現出美好的發展前景。
[編輯本段]半導體
非晶硅是一種直接能帶半導體，它的結構內部有許多所謂的「懸鍵」，也就是沒有和周圍的硅原子成鍵的電子，這些電子在電場作用下就可以產生電流，並不需要聲子的幫助，因而非晶硅可以做得很薄，還有製作成本低的優點．
[編輯本段]物理特性
硅是地球上儲藏最豐富的材料之一，從19世紀科學家們發現了晶體硅的半導體特性後，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。硅材料――因其具有耐高溫和抗輻射性能較好，特別適宜製作大功率器件的特性而成為應用最多的一種半導體材料，目前的集成電路半導體器件大多數是用硅材料製造的。 硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999％，甚至達到99.9999999％以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。 單晶硅熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本徵半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。
[編輯本段]主要用途
單晶硅主要用於製作半導體元件。 用途： 是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等 現在，我們的生活中處處可見「硅」的身影和作用，晶體硅太陽能電池是近15年來形成產業化最快的。 熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。 單晶硅的製法通常是先製得多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。 單晶硅棒是生產單晶矽片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶矽片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。 單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，晶元的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用於半導體集成電路、二極體、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區熔法單晶主要用於高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用於大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用於集成電路領域。 由於成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用最廣。在IC工業中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC製造中有更好的適用性並具有消除Latch－up的能力。 矽片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高。
[編輯本段]研究趨勢
日本、美國和德國是主要的硅材料生產國。中國硅材料工業與日本同時起步，但總體而言，生產技術水平仍然相對較低，而且大部分為2.5、3、4、5英寸硅錠和小直徑矽片。中國消耗的大部分集成電路及其矽片仍然依賴進口。但我國科技人員正迎頭趕上，於1998年成功地製造出了12英寸單晶硅，標志著我國單晶硅生產進入了新的發展時期。目前，全世界單晶硅的產能為1萬噸/年，年消耗量約為6000噸～7000噸。未來幾年中，世界單晶硅材料發展將呈現以下發展趨勢：
1、微型化
隨著半導體材料技術的發展，對矽片的規格和質量也提出更高的要求，適合微細加工的大直徑矽片在市場中的需求比例將日益加大。目前，矽片主流產品是200mm，逐漸向300mm過渡，研製水平達到400mm～450mm。據統計，200mm矽片的全球用量佔60%左右，150mm佔20%左右，其餘佔20%左右。Gartner發布的對矽片需求的5年預測表明，全球300mm矽片將從2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韓等國家都已經在1999年開始逐步擴大300mm矽片產量。據不完全統計，全球目前已建、在建和計劃建的300mm硅器件生產線約有40餘條，主要分布在美國和我國台灣等，僅我國台灣就有20多條生產線，其次是日、韓、新及歐洲。%P 世界半導體設備及材料協會（SEMI）的調查顯示，2004年和2005年，在所有的矽片生產設備中，投資在300mm生產線上的比例將分別為55%和62%，投資額也分別達到130.3億美元和184.1億美元，發展十分迅猛。而在1996年時，這一比重還僅僅是零。
2、國際化，集團化，集中化
研發及建廠成本的日漸增高，加上現有行銷與品牌的優勢，使得硅材料產業形成「大者恆大」的局面，少數集約化的大型集團公司壟斷材料市場。上世紀90年代末，日本、德國和韓國（主要是日、德兩國）資本控制的8大矽片公司的銷量佔世界矽片銷量的90%以上。根據SEMI提供的2002年世界硅材料生產商的市場份額顯示，Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市場總額的比重達到89%，壟斷地位已經形成。
3、硅基材料
隨著光電子和通信產業的發展，硅基材料成為硅材料工業發展的重要方向。硅基材料是在常規硅材料上製作的，是常規硅材料的發展和延續，其器件工藝與硅工藝相容。主要的硅基材料包括SOI（絕緣體上硅）、GeSi和應力硅。目前SOI技術已開始在世界上被廣泛使用，SOI材料約占整個半導體材料市場的30%左右，預計到2010年將佔到50%左右的市場。Soitec公司（世界最大的SOI生產商）的2000年～2010年SOI市場預測以及2005年各尺寸SOI矽片比重預測了產業的發展前景。
4、矽片製造技術進一步升級
半導體,晶元,集成電路,設計,版圖,晶元,製造,工藝目前世界普遍採用先進的切、磨、拋和潔凈封裝工藝，使製片技術取得明顯進展。在日本，Φ200mm矽片已有50%採用線切割機進行切片，不但能提高矽片質量，而且可使切割損失減少10%。日本大型半導體廠家已經向300mm矽片轉型，並向0.13μm以下的微細化發展。另外，最新尖端技術的導入，SOI等高功能晶片的試制開發也進入批量生產階段。對此，矽片生產廠家也增加了對300mm矽片的設備投資，針對設計規則的進一步微細化，還開發了高平坦度矽片和無缺陷矽片等，並對設備進行了改進。 硅是地殼中賦存最高的固態元素，其含量為地殼的四分之一，但在自然界不存在單體硅，多呈氧化物或硅酸鹽狀態。硅的原子價主要為4價，其次為2價；在常溫下它的化學性質穩定，不溶於單一的強酸，易溶於鹼；在高溫下化學性質活潑，能與許多元素化合。 硅材料資源豐富，又是無毒的單質半導體材料，較易製作大直徑無位錯低微缺陷單晶。晶體力學性能優越，易於實現產業化，仍將成為半導體的主體材料。 多晶硅材料是以工業硅為原料經一系列的物理化學反應提純後達到一定純度的電子材料，是硅產品產業鏈中的一個極為重要的中間產品，是製造硅拋光片、太陽能電池及高純硅製品的主要原料，是信息產業和新能源產業最基礎的原材料。
[編輯本段]單晶硅市場發展概況
2007年，中國市場上有各類硅單晶生長設備1500餘台，分布在70餘家生產企業。2007年5月24日，國家「863」計劃超大規模集成電路（IC）配套材料重大專項總體組在北京組織專家對西安理工大學和北京有色金屬研究總院承擔的「TDR-150型單晶爐（12英寸MCZ綜合系統）」完成了驗收。這標志著擁有自主知識產權的大尺寸集成電路與太陽能用硅單晶生長設備，在我國首次研製成功。這項產品使中國能夠開發具有自主知識產權的關鍵製造技術與單晶爐生產設備，填補了國內空白，初步改變了在晶體生長設備領域研發製造受制於人的局面。 硅材料市場前景廣闊，中國硅單晶的產量、銷售收入近幾年遞增較快，以中小尺寸為主的矽片生產已成為國際公認的事實，為世界和中國集成電路、半導體分立器件和光伏太陽能電池產業的發展做出了較大的貢獻。[1]

⑸ 多晶硅價格為什麼下降這么快啊

1,市場產能大於市場需求，造成供過於求
2,歐洲國家降低了對光伏行業的補貼，找出PV下遊行業減產
3,近期一些多晶硅生產企業進行去庫存，導致市場上現貨價格進一步下跌

⑹ 多晶硅行業的現狀

我國多晶硅市場現狀
（1）整體看，目前我國多晶硅市場需求大，行業投資熱，但實際產量仍存在缺口。
由於市場需求較大，近年來國內多晶硅行業存在盲目投資、重復建設、無序上馬的現象，行業集中度較低，80%的多晶硅廠商規模普遍不超過1000噸。這些小企業盲目追求利潤，造成排放超標、能耗巨大，產生的效益遠遠比不上給環境所帶來的損害。同時，由於技術研發能力落後，產品良產率較低，銷售渠道不穩定，使得不少企業聲稱產能很大，但廠房建立數年，卻總是無法按量達產。因此，國內多晶硅行業設計產能和實際產量之間缺口較大。

2009年9月，國務院「38號文」要求嚴格控制在能源短缺、電價較高的地區新建多晶硅項目，對缺乏配套綜合利用、環保不達標的多晶硅項目不予核准或備案，新建多晶硅項目規模必須大於3000 噸/年。然而在實際操作中，即使是優質的多晶硅項目，也難以申請貸款，更難獲得證券市場融資機會，國內多數多晶硅擴產計劃無限期延遲。
在目前國內太陽能產業高速發展的大背景下，不斷超出市場預期的光伏新增裝機量，帶動組件需求旺盛，使得上游多晶硅原材料需求大幅增長，導致國內多晶硅現貨市場持續供應緊張。據海關數據顯示，我國多晶硅每年市場缺口超過50%，2009年全年進口多晶硅2萬噸，2010年進口多晶硅達到4.8萬噸。而2011年1季度多晶硅進口量已超過1.5萬噸，同比增長67%。

2011年3月多晶硅進口量是歷史第二高，僅次於2010年11月的進口量。主要是由於盡管上游多晶硅產能不斷在擴張，但仍比不上國內光伏產業鏈下游電池、組件產能的擴張速度，使得多晶硅供給量仍無法滿足國內需要。

2011年1月，工信部、國家發改委、環保部聯合發布了《多晶硅行業准入條件》，明確了多晶硅項目的規模、能耗等關鍵性指標。《條件》的出台將有效限制投資過熱，推進產業整合，有助於淘汰眾多落後產能（約40多家小企業面臨關停並轉），利於行業健康長期發展。
（2）我國光伏產業近期政策及影響
2011年7月24日，發改委頒布了《關於完善太陽能光伏發電上網電價政策的通知》，出台了太陽能光伏發電的標桿電價，在2011年7月前核准建設的、在當年年底前建成投產的項目，執行1.15元/千瓦時電價，7月1日以後核准，以及在年底前未投產項目，則按照1.00元/千瓦時電價執行。此外，發改委將可根據投資成本變化、技術進步等因素適時調整上網電價。
光伏標桿上網電價的出台改變了國內光伏行業的發展模式和發展特點，未來或將復制風電行業過去的快速發展，促使國內光伏裝機容量的快速增長。
一是隨著成本的下降和光伏電站盈利能力的提升,預計未來國內發電集團和光伏電站運營商投資建設光伏電站的積極性將更高。此次發改委公布上網電價為每千瓦時1.15元和1.0元;而去年280MW光伏特許權招標項目的中標價格為0.72-0.99元,今年上網電價較去年中標價格還高;而今年光伏組件價格大幅下滑約30%,光伏發電成本持續下滑,目前國內發電成本可以做到0.9-1.0元,光伏電站項目已經可以做到微利。此前即使虧損電力集團也積極參與光伏發電特許權項目,主要是為了滿足國家新能源裝機容量佔比不低於5%的要求。
二是光伏上網電價明年存在下調的可能,而目前火電成本高漲，分時計價呼聲較高，電價上漲幾乎已成必然趨勢。下半年國內光伏市場或存在提前搶裝現象,國內光伏市場或存在爆發式增長,因此下半年國內光伏市場或存在提前搶裝的現象,類似於去年下半年的德國。此前已有青海、山東、江蘇三省區已經出台自己的上網電價,補貼也在持續下降,其中山東省2010-2012年投產光伏發電項目補貼分別為:1.7元、1.4元和1.2元;青海省之前出台規定9月30日前投產項目補貼為1.15元,截至7月青海省已有五家光伏發電企業實現並網發電,並網容量達56MW,目前仍有19個重點項目將在9月30日前完成300MW上網發電容量建設,
三是國內光伏市場快速啟動後,光伏產業鏈將明顯受益。目前國內光伏市場佔全球光伏市場比例較低,但未來發展空間巨大。根據已上報國務院待批的《「十二五」可再生能源發展規劃》，「十二五」，光伏發電裝機總量目標已上調至10GW，未來在全球光伏市場的佔比將顯著提升。光伏上網電價政策將是推動國內光伏市場的發展根本動力,國內光伏市場啟動後光伏產業鏈將受益，多晶硅料行業未來產業集中度將繼續提升,具有規模和成本優勢的龍頭企業競爭優勢未來將更加明顯,隨著擴張產能的持續釋放,未來規模較小、成本較高的企業生存壓力較大。

⑺ 多晶硅多少錢一斤

多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。利用價值：從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）

在太陽能利用上，單晶硅和多晶硅也發揮著巨大的作用。要使太陽能發電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，就必須提高太陽電池的光電轉換效率，降低生產成本。從國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

2015年3-4月份國內多晶硅價格一路直線下跌,從3月初的13.9萬元/噸下滑到4月底的12.0萬元/噸,下降幅度為13.7%。

⑻ 中國光伏產業聯盟的雙反調查

美多晶硅雙反調查申請
2011年11月21日，中國光伏產業聯盟副秘書長高宏玲在四川成都舉行的第22屆中美商貿聯委會間表示，該產業聯盟正組織相關法務律師起草針對美向我國出口的多晶硅等相關產品「反傾銷、反補貼」調查申請，近期將遞交（中國）商務部進出口公平貿易局，第一步「雙反」調查申請主要針對多晶硅，以後會延伸到與光伏產業相關的設備、配套部件及原輔材等產品。
「我們與相關光伏企業和工商聯新能源商會、發改委能源所等機構，已與商務部進出口公平貿易局的有關人士溝通過兩次了，我們也正組織法務方面的律師，起草對美國出口我們的多晶硅『雙反』調查申請」「在溝通中，商務部進出口公平貿易局的有關人士對我們的行動表示支持」「雖然在溝通中，商務部表示支持，但是『雙反』調查是涉及中美兩國貿易的大事，估計商務部會就此做謹慎的考慮」高宏玲說。
光伏聯盟在聲明中稱，我國多晶硅產業是一個新興產業，在2007~2008年多晶硅供不應求的時候，多晶硅進口價格一度高達500美元/千克，但隨著我國多晶硅產能的釋放，來自美國等國家的多晶硅企業也開始通過壓低價格，大量向我國出口多晶硅產品，我國進口多晶硅量從2009年的2萬噸增加到2010年的4.75萬噸，預計2011年將達到6萬噸。近期，在我國多晶硅產品國內市場佔有率迅速提升，且全球光伏市場形勢不好的情況下，美國等多晶硅企業通過大幅壓低價格大量向我國傾銷多晶硅產品。數據顯示，目前國內光伏企業自美國進口的原材料和設備金額超過50億美元，而出口美國的光伏產品則不足20億美元。
光伏聯盟調查稱，在今年三季度光伏市場並無好轉的情況下，8、9月份，多晶硅進口量分別達到6473噸和6489噸，為近幾年月度最高水平，嚴重擠佔了中國多晶硅企業的市場空間，導致我國多家多晶硅企業減產、停產或破產，許多工人下崗。
此外，有關研究機構提供的資料顯示，美國多晶硅企業在其經營過程中享受大量的經濟補貼，如2010年，Hemlock和REC等美國多晶硅企業獲得上億美元政府補貼等，這些公司享受的補貼電價也低於聯邦平均電價水平等，它們利用美國政府的補貼，在過去幾年中向我國大量出口低價的多晶硅產品，嚴重損害了我國多晶硅產業的發展，致使我國多數多晶硅企業在2011年相繼減產或停產，有的甚至倒閉破產。2011年來，美國田納西州政府對Hemlock和另外一家企業在該州新建的產能均為2萬噸的多晶硅工廠進行大量補貼，據Hemlock和另一家企業公布的消息，上述新工廠的產能大部分將售往中國等亞洲地區。
商務部25日公告，依據《中華人民共和國對外貿易法》和商務部《對外貿易壁壘調查規則》規定，自25日起，對美國可再生能源扶持政策及補貼措施啟動貿易壁壘調查。調查措施所涉產品主要包括與風能、太陽能、水能等可再生能源利用相關的產品、設備及其零部件。

⑼ 多晶硅的歷史價格列表...

多晶硅近期價格走勢
黃女瑛／台北 2007/12/11 全球太陽能料源現貨市場(Spot market)狂飆，第4季不僅創下半導體廢晶圓公開召標達每公斤300美元高價，近期國際純多晶硅現貨市場成交金額更一舉沖破每公斤400美元天價，據太陽能業者透露，買方均為大陸太陽能廠，且多數台系太陽能業者認為這個價格水位穩賠不賺，至於大陸業者購買主要動機為新產能開出壓力，並預期價格會再上漲及因應掛牌沖業績使然。 繼日前由2家台系頗具規模太陽能電池廠，以及1家大陸排名前3大硅晶圓廠，透過代理商以每公斤300美元價位，購買半導體廢晶圓，創下廢晶圓市場天價，並凸顯料源市場嚴重缺料及買家爭相搶料競爭後，國際純多晶硅現貨市場亦步上後塵，近期創下每公斤400美元天價。 太陽能業者指出，近2周現貨市場以每公斤400美元成交的純多晶硅料源，主要買家都是大陸太陽能電池及硅晶圓廠，應是為因應擴產產能開出，且手中握有合約料源有限，遂被迫到現貨市場取貨。 太陽能電池廠益通總經理蔡進耀亦證實這項訊息，並推估促使這些業者進行高價交易主要壓力，來自於新產能開出及預期未來現貨價恐有再上漲壓力，另外，也可能是為沖刺上市櫃掛牌，為沖業績才會買下現貨價每公斤高達400美元的純多晶硅。 太陽能業者表示，2006年第3季純多晶硅現貨價每公斤還在280美元，第4季已突破300美元，2007年上半每公斤尚穩定維持在300~330美元，然多數業者都已覺得這個價格水位已難再有大幅提升機會，因為已經逼近廠商所能忍受臨界點，買家已難取得獲利。 不過，2007年下半隨著下游廠商爭相擴產及新加入者產能持續開出，相較之下，上游料源供給端產出擴增卻十分有限，使得第3季報價首度突破340美元，第4季初成交金額更已飆升至360~370美元，12月再度突破每公斤400美元天價，但買方均以大陸太陽能廠為主。台系太陽能業者認為，此為非理性交易行為。 目前全球太陽能多晶硅供貨商，主要為老字型大小多晶硅廠，包括美國Hemlock、德國Wacker、挪威REC、美國MEMC、日本Tokuyama、日本Sumitomo等為主，其中，固定會在國際現貨市場供貨者不超過3家。

⑽ 多晶硅的發展趨勢

當前光伏正面臨著兩大歷史性的拐點：第一是從歐洲市場轉向中美日市場；第二是從政府補貼逐漸轉向平價上網。中國產業洞察網分析師看來，盡管多晶硅等產品價格一度有所回升，但未來出現大幅度上升的可能性不大，而一些公司依然在擴大產能中，在供求關系沒有本質改變之前，光伏行業的復甦之路依然坎坷。
多晶硅或不會大幅上升
歐盟對中國太陽能產品的反傾銷預計6月初裁定，矽片與組件行業悲觀預期仍然強烈，雙反將導致沒有贏家，屆時多晶硅價格可能再次上漲，但是對中國的光伏行業來說，不同細分子行業景氣度將出現分化。如果考慮到中國對歐盟多晶硅採取反制措施導致的多晶硅價格上漲，那麼多晶硅相關企業將率先受益。
另一方面，國內應對政策充足，且隨時待發。中國光伏產業產能巨大，涉及各地政府、銀行、就業群體等關鍵方，「救市」幾乎是政府的必然選擇——方法主要為兩種：一是以提高補貼等方式擴大國內市場需求，二是對海外多晶硅等產品採取「報復」措施，在被「關門」之時國內政策發力的概率很高。
另一方面，中國和歐盟之間的談判依然有變數，如果雙方都實施反傾銷的話，會使得價格上漲；然而，如果雙方都沒有相應措施，多晶硅價格就不可能上升太多，而新能源發展的出路在於價格逐步走低，最終低於傳統能源才有真正存在的價值。
高純多晶硅是電子工業和太陽能光伏產業的基礎原料，在未來的50年裡，還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產業主要原材料。
隨著信息技術和太陽能產業的飛速發展，全球對多晶硅的需求增長迅猛，市場供不應求。世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸。半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15600噸，供不應求。全球太陽能電池產量快速增加，直接拉動了多晶硅需求的迅猛增長。全球多晶硅由供過於求轉向供不應求。受此影響，作為太陽能電池主要原料的多晶硅價格快速上漲。
中國多晶硅工業起步於20世紀50年代，60年代中期實現了產業化，到70年代，生產廠家曾經發展到20多家。但由於工藝技術落後，環境污染嚴重，消耗大，成本高等原因，絕大部分企業虧損而相繼停產或轉產。
中國集成電路和太陽能電池對多晶硅的需求快速增長，2005年集成電路產業需要電子級多晶硅約1000噸，太陽能電池需要多晶硅約1400噸；到2010年，中國電子級多晶硅年需求量將達到約2000噸，光伏級多晶硅年需求量將達到約4200噸。而中國多晶硅的自主供貨存在著嚴重的缺口，95%以上多晶硅材料需要進口，供應長期受制於人，再加上價格的暴漲，已經危及到多晶硅下游眾多企業的發展，成為制約中國信息產業和光伏產業產業發展的瓶頸問題。
由於多晶硅需求量繼續加大，在市場缺口加大、價格不斷上揚的刺激下，國內涌現出一股搭上多晶硅項目的熱潮。多晶硅項目的投資熱潮，可以說是太陽能電池市場迅猛發展的必然結果，但中國硅材料產業一定要慎重發展，不能一哄而上；關鍵是要掌握核心技術，否則將難以擺脫受制於人的局面。
作為高科技產業，利用硅礦開發多晶硅，產業耗能大，電力需求高。電價已成為中國大多數硅礦企業亟待突破的瓶頸之一。因此中國大力發展多晶硅產業，亟需在條件成熟的地方制定電價優惠政策，降低成本。
由於需求增加快速，但供給成長有限，預估多晶硅料源的供應2007年將是最嚴重缺乏的一年，預計到2009年，全世界多晶硅的年需求量將達到6.5萬噸。在未來的3至5年間，也就是在中國的「十一五」期間，將是中國多晶硅產業快速發展的黃金時期。
2011年國內多晶硅產量達到82768噸，同比增長84%。產業依舊保持快速增長的勢頭，2006-2011年我國多晶硅產量翻了數番，年均增長超過100%。2011全年銷售額超過230億元，與2010年基本持平；截至2011年年底，我國已建多晶硅生產線的總產能達到14.8萬噸。我國多晶硅產量已佔全球的35%左右，已成為繼美、德之後的全球多晶硅生產大國。
工業和信息化部2012年發布的《太陽能光伏產業「十二五」發展規劃》中將高純多晶硅列為「十二五」發展重點，並指出「支持骨幹企業做優做強，到2015年多晶硅領先企業達到5萬噸級，骨幹企業達到萬噸級水平」，「多晶硅生產實現產業規模、產品質量和環保水平的同步提高，到2015年平均綜合電耗低於120千瓦時/公斤」。
2008年金融危機之後，歐美等主要發達國家都將發展新能源產業作為推動經濟發展的首選產業，特別是日本地震發生核泄漏之後，光伏發電成為新能源產業最主要的發展方向，包括歐洲、日本、美國、中國在內的主要國家和地區都將2020年光伏發電的目標翻番甚至提高更多。原計劃在2020年全球實現光伏發電達到200GW，調整之後，該目標達到500-1000GW，未來全球光伏發電的前景依然光明。
從工業化發展來看，重心已由單晶向多晶方向發展，主要原因為；[1]可供應太陽電池的頭尾料愈來愈少；[2] 對太陽電池來講，方形基片更合算，通過澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料；[3]多晶硅的生產工藝不斷取得進展，全自動澆鑄爐每生產周期（50小時）可生產200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達到厘米級；[4]由於近十年單晶硅工藝的研究與發展很快，其中工藝也被應用於多晶硅電池的生產，例如選擇腐蝕發射結、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細金屬柵電極，採用絲網印刷技術可使柵電極的寬度降低到50微米，高度達到15微米以上，快速熱退火技術用於多晶硅的生產可大大縮短工藝時間，單片熱工序時間可在一分鍾之內完成，採用該工藝在100平方厘米的多晶矽片上作出的電池轉換效率超過14%。據報道，在50～60微米多晶硅襯底上製作的電池效率超過16%。利用機械刻槽、絲網印刷技術在100平方厘米多晶上效率超過17%，無機械刻槽在同樣面積上效率達到16%，採用埋柵結構，機械刻槽在130平方厘米的多晶上電池效率達到15.8%。
2012年12月份，多晶硅的進口均價已下跌至20.8美元/公斤，市場最低報價已到15美元/公斤。整體上看，2012年幾乎所有的多晶硅生產企業均處於虧損的狀態。進入2013年1月份後，隨著多晶硅生產廠家庫存的減少，國內多晶硅生產企業開始調高多晶硅市場報價，市場報價已上漲至21美元/公斤。行業普遍虧損導致較多的產能已開始退出，多晶硅價格將會維持在20-23美元/公斤之間才能覆蓋多晶硅企業的全成本，使得部分企業盈利。
2015年前三季度，多晶硅產量約為10.5萬噸，同比增長20%；矽片產量約為68億片，同比增長10%以上；電池片產量約為28GW，同比增長10%以上；組件產量約為31GW，同比增長26.4%。 當前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是最主要的光伏材料，其市場佔有率在90%以上，而且在今後相當長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產技術長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中，形成技術封鎖、市場壟斷的狀況。
多晶硅的需求主要來自於半導體和太陽能電池。按純度要求不同，分為電子級和太陽能級。其中，用於電子級多晶硅佔55%左右，太陽能級多晶硅佔45%，隨著光伏產業的迅猛發展，太陽能電池對多晶硅需求量的增長速度高於半導體多晶硅的發展，預計到2008年太陽能多晶硅的需求量將超過電子級多晶硅。
1994年全世界太陽能電池的總產量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年裡就增長了17倍。專家預測太陽能光伏產業在二十一世紀前半期將超過核電成為最重要的基礎能源之一。
據悉，美國能源部計劃到2010年累計安裝容量4600MW，日本計劃2010年達到5000MW，歐盟計劃達到6900MW，預計2010年世界累計安裝量至少18000MW。從上述的推測分析，至2010年太陽能電池用多晶硅至少在30000噸以上，表2給出了世界太陽能多晶硅工序的預測。據國外資料分析報道，世界多晶硅的產量2005年為28750噸，其中半導體級為20250噸，太陽能級為8500噸，半導體級需求量約為19000噸，略有過剩；太陽能級的需求量為15000噸，供不應求，從2006年開始太陽能級和半導體級多晶硅需求的均有缺口，其中太陽能級產能缺口更大。
據日本稀有金屬雜志2005年11月24日報道，世界半導體與太陽能多晶硅需求緊張，主要是由於以歐洲為中心的太陽能市場迅速擴大，預計2006年，2007年多晶硅供應不平衡的局面將為愈演愈烈，多晶硅價格方面半導體級與太陽能級原有的差別將逐步減小甚至消除，2005年世界太陽能電池產量約1GW，如果以1MW用多晶硅12噸計算，共需多晶硅是1.2萬噸，2005－2010年世界太陽能電池平均年增長率在25%，到2010年全世界半導體用於太陽能電池用多晶硅的年總的需求量將超過6.3萬噸。 在中央政府大力推廣新能源政策的支持下，各地方省份也是積極跟進，培養優勢產業。江西省抓住機遇，憑借粉石英（硅材料主要原料）儲量全國第一的資源優勢，出台多方面措施保障光伏產業發展。短短3、4年間，使得一大批光伏產業上下游項目迅速在江西集聚，成為中國重要的光伏產業基地。以新余為主產地、以賽維LDK和盛豐能源為核心企業的產業帶具有較強的生產能力，初步建立了從硅料、矽片到太陽能電池組件及配套產品的完整產業鏈，擁有了對外合作的有效途徑和一批關鍵人才，在國內已具有較明顯的規模優勢和市場競爭力。
2008年江西省光伏產業發展迅速，實現銷售收入128.9億元。另外該省生產的多晶矽片已佔全球總產量的四分之一，龍頭企業賽維2008年的產能超過1400MW。
2009年初，經省政府同意，由江西省發改委牽頭編制的《江西省光伏產業發展規劃》正式下發，為江西光伏產業發展確定了大的方向。規劃中提到，力爭到2012年將江西打造成為全球重要的光伏產業生產基地。按照規劃，未來數年，新余、豐城、南昌產業帶將建成全省光伏產業主要集聚區。
行業走勢概況及預測
10月中旬國內多晶硅行情小幅上調。10月初國內企業出廠報價均價在132667元/噸左右，到本周末國內企業對外報價波動至132883元/噸左右，整體上漲了0.13%，當前價格同比去年下降了24.63%。
行情分析光伏補貼細則即將出台，多晶硅龍頭企業紛紛復產，多晶硅價格得到提振，多晶硅行業開工率進一步回升，開工率恢復至40%左右。
國內多晶硅光伏市場觀望情緒仍然彌漫，受到國內各地方光伏發電補貼與上網政策遲遲未落實的影響，下游硅料報價波動較小；太陽能產品實行增值稅即征即退50%的政策的出台確實直接利好光伏下游企業，亦有機會促進上游企業受惠。
從光伏全行業來看，近期新增光伏市場需求空間不大，直接導致上游多晶硅環節供需仍難現大逆轉情形，全年產需只能勉強維持平衡。多晶硅市場仍然面臨著產能過剩的局面。
後市預測隨著光伏市場的逐漸回暖，多晶硅開工增多，市場供應量有所增加但是從下游光伏利好到上游還需要一段時間的緩沖，多晶硅後市或將上揚，預計短期內價格地位盤整仍會持續。
1、發展壯大中國多晶硅產業的市場條件已經基本具備、時機已經成熟，國家相關部門加大對多晶硅產業技術研發，科技創新、工藝完善、項目建設的支持力度，抓住有利時機發展壯大中國的多晶硅產業。
2、支持最具條件的改良西門子法共性技術的實施，加快突破千噸級多晶硅產業化關鍵技術，形成從材料生產工藝、裝備、自動控制、回收循環利用的多晶硅產業化生產線，材料性能接近國際同類產品指標；建成節能、低耗、環保、循環、經濟的多晶硅材料生產體系，提高我們多晶硅在國際上的競爭力。
3、依託高校以及研究院所，加強新一代低成本工藝技術基礎性及前瞻性研究，建立低成本太陽能及多晶硅研究開發的知識及技術創新體系，獲得具有自主知識產權的生產工藝和技術。
4、政府主管部門加強宏觀調控與行業管理，避免低水平項目的重復投資建設，保證產業的有序、可持續發展。
5、《多晶硅產能嚴重過剩 地方政府成主要推手》。2009年09月07日 07:07來源：中央電視台《經濟半小時》。
6、解決國內光伏發電的政策、技術瓶頸，進一步啟動國內光伏終端市場、開發新興市場(例如讓光伏發電象家電下鄉一樣走進家庭、走進平民生活，通過援外的方法開發非洲太陽能市場)。
7、通過科技創新提高企業競爭力，提高質量、減低消耗，優化產業布局、危機期間推進重組、淘汰落後產能、提高集中度。行業內重點扶持5~6家大而強的多晶硅企業。