刻濁機股票

① 離子刻蝕機和PVD有什麼區別

離子刻蝕機主要是用於刻蝕矽片用的，pvd是物理沉積，蒸鍍之類的內容

② 刻蝕機干刻有過刻什麼原因

呵呵，我以前在半導體做了兩年啊！懂一點點吧！ 以前我在的是蝕刻區！半導體制蝕刻(Etching) (三)蝕刻(Etching) 蝕刻的機制，按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個蝕刻，包含...3731

③ 等離子刻蝕機和光刻機的產品是一樣的嗎

用激光刻蝕的機器，比如做晶元的用來刻蝕電路，又比如激光雕刻

④ 國外icp氮化鎵刻蝕機廠商都有那幾家

太陽電池製作工藝太陽能電池工藝簡介及廠房建設總結 我公司從02年開始，先後承接過目前國內太陽能電池行業主流公司的一系列項目（從矽片製造到組件生產），通過完成這些項目的設計、施工和二次配，我公司無疑已成為業內承接太陽能電池生產廠房的最專業公司。我自己還見證了以上某項目從破土動工到正式投產，甚至停產改造的所有過程，也曾去過兄弟太陽能項目，通過現場的親歷和對這些公司施工圖的研讀，對太陽能電池的生產工藝及廠房及建設略知一二，願在此與大家探討。 一、工藝簡介 在上一次《太陽能電池的一些資訊》中，對於生產原理，我已經做過敘述，太陽能電池生產工藝一般分為：擴散前清洗、擴散、擴散後清洗、刻蝕、PECVD，絲網印刷，燒結，分類檢測和封裝。 擴散前清洗的目的在於制絨，就是把相對光滑的原材料矽片的表面通過強酸和強鹼腐蝕，使其凸凹不平，變得粗糙，形成漫反射，減少直射到矽片表面的太陽能的損失。相關設備有無錫瑞寶，德國RENA，深圳捷佳創，這些設備中最好的是RENA，因為他不光賣設備，還賣制絨工藝的專利。所使用的介質有HF，HCL，HNO3，NaOH，Na2SiO3和乙醇等。動力源有自來水，純水，壓縮空氣，氮氣，工藝冷卻水，廢水，熱排風和酸排風。 擴散的目的在於形成PN結。矽片含硼，是P型結物質，需要往裡面摻雜磷，使電子發生移動，形成PN結空穴。所使用的介質有POCL3，N2，O2。動力源有壓縮空氣，氮氣，工藝冷卻水，熱排風和有機排風。使用的設備是高溫擴散爐，廠商有SVCS，TEMPRESS，長沙48所等。該道工藝有潔凈要求，需要在潔凈室內運行。因為擴散爐內的石英管需要清洗，所以需要增加一種石英管清洗機。 擴散後清洗的目的在於洗去擴散時形成的磷硅玻璃，即SiO2和 P2O5的混合物，所以擴散後清洗機又叫做去磷硅玻璃清洗機。動力源有氮氣，壓縮空氣，純水，HF，熱排風，酸排風，廢水等。設備有深圳捷佳創。 刻蝕的目的在於把矽片的邊緣PN結斷開，防止短路。目前國內所使用的設備幾乎都是長沙48所的。動力源有CF4，N2，NH3，熱排風，有機排風。 PECVD的目的在於鍍氮化硅薄膜，增加折射率，同時摻雜H元素，使缺陷減少，還可以保護矽片。所用設備有德國的ROTH&RAW平板式PECVD設備，還有CENTROTHERMO的管式PECVD設備。動力源有SiH4，NH3，氮氣，壓縮空氣，工藝冷卻水，熱排風，硅烷排風等。 絲網印刷的目的在於印刷導電電極。先印背面，再印正面。目前國內大多數廠家使用設備是義大利的BACCINI印刷線。動力源有真空，壓縮空氣，熱排風，有機排風等。 燒結的目的是把電極燒結在PN結上。高溫燒結可以使電極穿透氮化硅膜，形成合金。所用設備有美國DESPACH等。動力源有壓縮空氣，工藝冷卻水，熱排風，有機排風等。 分類檢測的目的在於把電池片按照效率進行分類。目前國內大多數廠家使用設備是義大利的BACCINI檢測儀。動力源有真空，壓縮空氣。 最後一道工藝就是熱塑包裝。 二、廠房建設經驗總結 一條年產量25MW的生產線，設備佔地至少需要1100平方米，而國內廠商一般很少有隻計劃一條線的公司，所以太陽能電池生產車間凈面積都在2000平方米以上。按照16小時甚至24小時生產來計算，工藝人員不下於百人，所以相應的辦公室，更衣間，食堂，宿舍，衛生間等設施都不能太小。外線動力站（製冷，供熱，純水，空壓，真空，空調，工藝冷卻水，消防，變配電，自控，通訊等）房總面積不小於2000平方米。廠房和動力站房有鋼筋混凝土框架結構，多層建築的，也有鋼結構加金屬復合板單層建築的，但布置工藝和動力設備的樓層，因管線眾多，層高都較大，至少是7米。 以下經驗總結均以50MW生產線為例。 電源是整個工廠的首要條件，僅工藝和動力設備用電功率就在1800KW左右，必須有可靠的電能供應。PECVD設備，製冷機，空壓機，空調風機和循環水泵是用電功率較大的設備。 工藝純水的用量在15噸/小時左右，水質標准都要達到中國電子級水的技術指標GB/T11446.1-1997中EW-1級。工藝冷卻水用量也在15噸/小時左右，水質中微粒粒徑不宜大於10微米，供水溫度宜在15-20℃，供水壓力5巴左右，應有可靠的溫度，供水壓力控制，最好採用變頻泵。 壓縮空氣用量在400NM3/H左右，如果空氣品質要求較高，如需要達到壓縮空氣質量等級的1級甚至更高要求，建議使用無油空壓機。如果露點溫度要求苛刻，乾燥機建議使用組合式。真空排氣量在300M3/H左右，水環式真空泵雖然便宜，但是效率下降的也快，不推薦使用。氮氣和氧氣如果靠近大的氣體供應站，一般採用液體儲罐供應的方式，初投資低，氮氣儲罐20立方米左右，氧氣10立方米足夠。特殊氣體如硅烷等，考慮安全因素，單獨設置一個特氣間還是很有必要的。 空調系統的空氣處理方式則視具體土建情況而言，可以採取組合式空氣處理機組集中處理，也可以採用干盤管進行分散處理。生產車間出擴散區外，溫濕度均只要滿足人體舒適性即可，建議冬夏能有一定變化，這樣既可節能，又讓人能適應室內外溫度變化，不易感冒。擴散區由於對潔凈度要求較高，需要設計獨立的空氣處理系統，主要關注的是潔凈度，該區散熱量也較大。酸排氣量不小於10000M3/H，一般採用濕式洗滌、中和的處理方式。有機排氣量也不小於10000M3/H，一般採用乾式吸附法處理。熱排風量也不小於13000M3/H，因為只是普通排氣，可以不用處理，直接排放即可。相對而言，硅烷處理要謹慎，否則容易起火。 整個施工試車過程中，特別要注意的是水，氣通入設備之前除做好強度嚴密性試驗，確保無滲漏外；務必保證清洗、吹掃試驗要干凈徹底，否則，設備一旦被污染，再次清洗不但代價昂貴，甚至會造成重大損失。二次配管時，某些設備的特殊需要，則根據業主的要求和初投資而定，如擴散爐具有較強腐蝕性的高溫酸性排風；供強酸、強鹼、特氣的多層管路，PECVD、刻蝕機的隔聲泵房等。 廠房設計和施工公司的選擇，是考驗投資方智慧和眼光的大事，切不可因一時便宜而選擇之。沒有選擇好專業的公司，將會付出成沉重的代價。 工廠建成以後，最重要的就是運行維護。太陽能電池廠房動力保障是一個復雜的系統，需要至少2-4名理論功底扎實，動手能力強、富有高度責任感的工程師核心隊伍，經常對各動力系統進行巡察，及時分析和解決出現的問題，甚至適時提出改造方案；否則不能及時發現隱患，很可能等問題出現時導致停產。

⑤ ICP刻蝕機反射功率過高

反偏過高是因為功率匹配的不好~主要是不清楚你們是什麼樣的刻蝕機。

⑥ 中國的光刻機與刻蝕機已經達到世界先進水平，為什麼有些人還說中國晶元業依舊前路艱辛

據媒體報道，2018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研製的5納米等離子體刻蝕機經台積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米製程生產線。5納米，相當於頭發絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路晶元上的最小線寬。台積電計劃2019年進行5納米製程試產，預計2020年量產。

中國的刻蝕機的確是達到了世界先進水平，光刻機還早，而且就算是這兩樣都世界先進了，不代表中國晶元業的前路就不艱辛了。目前中國的刻蝕機的確領先，5納米等離子體刻蝕機已經通過台積電驗證；但是光刻機就差多了，之前新聞報道中提到的「中科院SP超分辨光刻機」其實最多隻能算是一個「原型機」，和ASML的光刻機不能相提並論，也不能用來製造晶元，還需要攻克一系列的技術難題退一步講，就算是中國的光刻機與刻蝕機都達到世界領先就解決問題了么？ASML的EUV光刻機我們已經下單等待交貨了，是不是到貨以後中國就可以生產7nm甚至是5nm的晶元了不要把問題想簡單了，以為晶元也只有光刻機和刻蝕機。晶元製造的技術、經驗、工藝以及人才是一個系統性的工程，台積電也不是一天建成的，有了光刻機也不代表我們就能造出最頂尖的晶元。

⑦ 你們廠有沒有二手噴刻蝕機賣啊我也是做蝕刻的。買不起新的就買舊的。呵呵

你好，我們的蝕刻機也都是新的， 沒有二手的，我們可以給你定做經濟實惠的機型哦。

⑧ 為什麼中國的5納米刻蝕機不能突破華為的晶元壓制eimkt

中國目前還沒有生產出五納米刻蝕機，而且華為晶元從設計到製造都需要國外的技術和設備，並不是只缺一台光刻機。

⑨ 光刻機和刻蝕機的區別

刻蝕相對光刻要容易。光刻機把圖案印上去，然後刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩餘的部分。

「光刻」是指在塗滿光刻膠的晶圓（或者叫矽片）上蓋上事先做好的光刻板，然後用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質，易於腐蝕。

「刻蝕」是光刻後，用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導體器件及其連接的圖形。然後用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。

(9)刻濁機股票擴展閱讀：

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動

1.手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對准，對准精度可想而知不高了；

2.半自動：指的是對准可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；

3.自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對於處理量的需要。