砷化鎵化合物中國上市公司

『壹』 在第三代氮化鎵晶元時代，中國可能會來者居上嗎

最近隨著5G的普及，第三代半導體的應用也越來越被行業和大眾所關注，在5G晶元上也被大量應用，那究竟什麼是第三代半導體氮化鎵呢？它有什麼過人之處？在新一代半導體的應用研發上我們能否做到後來居上，打破關鍵技術被外國「卡脖子」的命運呢？

什麼是第三代半導體氮化鎵？

說到第三代半導體，我們就應該回顧一下半導體的發展歷史。第一代半導體最早是鍺，後來應用最廣泛的是硅，它們的特點是原料易得，所以被大規模使用，包括我們現在許多晶元都是近乎純凈的硅制備成硅單晶後在經過各種加工做成的。

而現在全世界最強大的5G領域國家是以中國，美國和歐洲為核心的，在這次全世界的5G標準的立項並且通過的企業也是中國佔了大頭，一共就有21項，其中包括中國移動10項，華為8項，中興2項，聯通1項，而以前一直處於霸主地位的美國只有9項。這些也足以可以說明5G標準的主導者當然是中國了。同時中國在5G上應用第三代半導體的技術也位居世界前列。

5G它是個龐大的體系，他的強大得由多方力量支撐，在這個體系中，我們中國除了晶元方面要稍微弱勢一點，其他都是排在世界前列，而第三代氮化鎵晶元時代也打破了以前一無所有的境遇。中國5G的發展，絕不僅僅是通信技術本身的開闊，更是對社會發展的影響，也會在很大程度上改變中國的實力。讓我們的國家在國際上有著更大的話語權。

『貳』 砷化鎵集成電路主要用於什麼領域

砷化鎵集成電路是以砷化鎵（GaAs）半導體材料為基片製作的集成電路，其有源器件主要是金屬基場效應晶體管和結型場效應晶體管，同時還包含了用高電子遷移率晶體管和異質結雙極晶體管等器件所制的集成電路。

GaAs集成電路包括超高速集成電路、微波單片集成電路和光電集成電路。GaAs是一種重要的化合物半導體材料。GaAs集成電路與硅集成電路相比的優點是：電子遷移率比硅大5倍；GaAs工作溫度范圍寬，可以擴展到-70℃～300℃；抗輻照性能比硅高1～3個數量級。

GaAs集成電路主要應用於通信衛星、電視衛星接收機、移動通信、高清晰度電視、微波毫米波數字頻率源、光通信、超高速率信號處理、微型超級計算機、高性能儀器、微波感測器以及國防軍用電子裝備等。

『叄』 哪個企業生產的氮化鎵品質好

1.三安光電（600703）
化合物半導體代工，已完成部分GaN的產線布局，是氮化鎵的龍頭。三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、晶元、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發、生產與銷售，產品性能指標居國際先進水平。
2.聞泰科技（600745）
其安世入股的Transphorm獲得了車規級認證，車載GaN已經量產，全球最優質的氮化鎵供應商之一。公司主營通訊和半導體兩大業務板塊，目前已經形成從晶元設計、晶圓製造、半導體封裝測試到產業物聯網、通訊終端、筆記本電腦、IoT、汽車電子產品研發製造於一體的龐大產業布局。通訊業務板塊包括手機、平板、筆電、IoT、汽車電子等領域。
3.耐威科技（300456）
公司目前的第三代半導體業務主要是指GaN（氮化鎵）材料的生長與器件的設計，公司已成功研製8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，且正在持續研發氮化鎵器件。北京耐威科技股份有限公司以感測技術為核心，緊密圍繞物聯網、特種電子兩大產業鏈，一方面大力發展MEMS、導航、航空電子三大核心業務，一方面積極布局無人系統、第三代半導體材料和器件等潛力業務，致力於成為具備高競爭門檻的一流民營科技企業集團。公司主要產品及業務包括MEMS晶元的工藝開發及晶圓製造、導航系統及器件、航空電子系統等，應用領域包括通信、生物醫療、工業科學、消費電子、航空航天、智能交通等。公司業務遍及全球，客戶包括特種電子用戶以及全球DNA/RNA測序儀巨頭、新型超聲設備巨頭、網路通信和應用巨頭以及工業和消費細分行業的領先企業。
4.南大光電（300346）
公司的高純磷烷、砷烷研發和產業化項目已經列入國家科技重大專項。高純磷烷和高純砷烷都是LED、超大規模集成電路、砷化鎵太陽能電池的重要原材料。MO源是MOCVD技術生長化合物半導體超薄型膜材料的支撐材料。化合物半導體主要用於製造高亮度發光管、高遷移率晶體管、半導體激光器、太陽能電池等器件，在紅外探測、超高速計算機等方面的應用也有著光明的前景。
5.海陸重工（002255）
旗下江蘇能華微電子科技發展有限公有專業研發、生產以氮化鎵（GaN）為代表的復合半導體高性能晶圓，並用其做成功率器件。蘇州海陸重工股份有限公司位於江蘇省張家港市開發區，是國內一流的節能環保設備的專業設計製造企業，目前並已初步形成鍋爐產品、大型壓力容器、核電設備、低溫產品、環保工程共同發展的業務格局。
6.海特高新（002023）
海威華芯布局氮化鎵功率器件代工，技術達到國際先進水平
7.富滿電子（300671）
充電器主控晶元，與oppo合作研發過GaN的充電器
8.雲南鍺業（002428）
子公司雲南鑫耀半導體材料有限公司目前已建成砷化鎵單晶及晶體產業化生產線，目前GaAs單晶片產能為80萬片/年（摺合4英寸），2019年上半年產量
9.有研新材（600206）
公司為國內靶材等半導體材料的龍頭企業之一，也是國內水平砷化鎵最大的供應商，旗下有研光電擁有如萬片/年的GaAs襯底產能。
10.乾照光電（300102）
是國內最大的能夠批量生產砷化鎵太陽能電池外延片的企業，研發並生產世界最尖端的高性能砷化鎵太陽能電池，填補了該領域的國內空白。

『肆』 含超純硅 砷化鎵的股票有哪些

300102乾照光電：國內砷化鎵LED晶元龍頭上市公司
公司分析：公司主要從事光電產品的研發、生產和銷售業務，主要有高亮度四元系LED外延片及晶元和三結砷化鎵太陽能電池外延片及晶元兩大類產品，產品廣泛應用於顯示屏，照明，汽車尾燈，背光源以及空間衛星等高端領域。
公司自主研發並掌握了多項高亮度四元系紅、黃光LED外延片生長的核心技術，在LED晶元的研發、生產方面也取得了重大突破。公司四元系LED晶元產品的主要技術指標處於國內領先水平，部分達到國際先進水平，並具有較高的性價比，是國內僅有的幾家能夠初步工業化生產LED外延片和晶元的企業之一。
公司以自主研發和擁有多項MOCVD核心技術生產的空間用三結砷化鎵太陽能電池外延片，其加工製成的空間電池產品光電轉化效率指標處於國內領先、國際先進的水平，是目前國內最大的能夠批量生產三結砷化鎵太陽能電池外延片的企業之一。另外公司地面用聚光三結砷化鎵太陽能電池晶元產品已試製成功，並於2009年實現產品銷售。在三結砷化鎵太陽能電池外延片方面，公司自主研發並擁有多項MOCVD核心技術，採用公司所生產的空間用三結砷化鎵太陽能電池外延片製成的電池產品光電轉換效率處於國內領先、國際先進水平。

『伍』 砷化鎵 是怎麼合成的

砷化鎵材料的制備
與硅相仿，砷化鎵材料也可分為體單晶和外延材料兩類。體單晶可以用作外延的襯底材料，也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造集成電路（採用高質量、大截面、半絕緣砷化鎵單晶）。重點是液封直拉法（即液封喬赫拉斯基法，簡稱LEC法）,但水平舟生長法（即水平布里其曼法）因制出的單晶質量和均勻性較好，仍然受到一定的重視。液封直拉法的一個新發展是在高壓單晶爐內用熱解氮化硼(PBN)坩堝和乾燥的氧化硼液封劑直接合成和拉制不摻雜、半絕緣砷化鎵單晶。另外，常壓下用石英坩堝和含水氧化硼為液封劑的方法也已試驗成功。不論水平舟生長法或是液封直拉法，晶體的直徑均可達到100～150毫米而與硅單晶相仿。
砷化鎵的外延生長按工藝可分為氣相和液相外延，所得外延層在純度和晶體完整性方面均優於體單晶材料。通用的氣相外延工藝為Ga/AsCl3/H2法,這種方法的變通工藝有Ga/HCl/AsH3/H2和Ga/AsCl3/N2法。為了改進Ga/AsCl3/H2體系氣相外延層的質量，還研究出低溫和低溫低壓下的外延生長工藝。液相外延工藝是用 Ga/GaAs熔池覆蓋襯底表面,然後通過降溫以生長外延層,也可採用溫度梯度生長法或施加直流電的電外延法。在器件(特別是微波器件)的製造方面,汽相外延的應用比液相外延廣泛。液相外延可用來製造異質結(如GaAs/AlxGa1-xAs)，因此它是製造砷化鎵雙異質結激光器和太陽電池等的重要手段。
砷化鎵外延技術還有分子束外延和金屬有機化合物汽相沉積外延。分子束外延是在超高真空條件下，使一個或多個熱分子束與晶體表面相作用而生長出外延層的方法。對入射分子或原子束流施加嚴格的控制，可以生長出超晶格結構，例如由交替的GaAs和AlxGaAs薄層（厚度僅10埃）所組成的結構。金屬有機化合物汽相沉積外延是用三甲基鎵或三乙基鎵與砷烷相作用而生長外延層。用這種方法也能適當地控制外延層的濃度、厚度和結構。與分子束外延相比，金屬有機化合物汽相沉積外延設備和工藝均較簡單，但分子束外延層的質量較高。
材料中的深能級缺陷砷化鎵中的雜質和缺陷（特別是深能級缺陷）對器件性能影響很大。作為化合物半導體，砷化鎵中的深能級缺陷問題遠比硅、鍺復雜。例如，半絕緣砷化鎵中最重要的深電子陷阱ELZ和在液相外延砷化鎵中發現的A、B空穴陷阱的本性和行為都有待於研究。
應用砷化鎵器件主要包括光電器件和微波器件兩大類。砷化鎵以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接躍遷的能帶結構，在光電應用方面處於有利的地位。常用的光電器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP兩種結構的雙異質結激光器，紅外和可見光發光管，砷化鎵太陽電池。在微波器件方面，砷化鎵的高遷移率和低有效質量使器件得以在更高頻率下工作。另外，基於電子轉移效應，已研製出耿氏管一類器件。70年代初，由於高質量砷化鎵外延材料和精細光刻工藝的突破，砷化鎵肖特基勢壘場效應晶體管(MESFET)取得了顯著的進展，頻率、增益和雜訊等參數均優於硅場效應晶體管。超晶格結構的出現為高電子遷移率晶體管(HEMT)的研製成功創造了條件。
砷化鎵材料的研究課題有：低位錯、大直徑、非摻雜、半絕緣砷化鎵單晶的制備；深能級缺陷的闡明與控制；低界面態密度氧化物層的獲得等。

『陸』 砷化鎵是第幾族

硅 四氟化硅 二氧化硅 硅酸鈉硅酸 由硅元素的特徵性質推斷。

『柒』 砷化鎵 跟 砷鎵合金是一樣的嗎 氮化鎵是把鎵丟近氮氣里29～50度 溫度下反應嗎

不一樣，砷化鎵是化合物，而砷鎵合金為混合物。氮化鎵這樣是得不到的

『捌』 大慶砷化鎵哪個企業怎麼樣

一、主要產品及用途
砷化鎵在當代微電子和光電子產業中發揮著重要的作用，其產品50%應用在軍事、航天方面，30%用於通信方面，其餘用於網路設備、計算機和測試儀器。由於砷化鎵優良的高頻特性，它被廣泛用於製造無線通信和光通信器件，半絕緣砷化鎵單晶已經成為製造大功率微波、毫米波通信器件和集成電路的主要材料。
本項目建設10條半絕緣砷化鎵拋光片生產線，每條生產線設計產能為年產10000片4英寸/6英寸（Φ42/Φ62）SI－GaAs拋光片。
二、市場分析
目前，砷化鎵單晶和拋光片處於賣方市場，4英寸和6英寸產品供不應求。摩托羅拉等通訊廠商紛紛將砷化鎵晶元產能擴大數倍，將年處理能力僅為幾萬片的工廠產能提高到10萬片、20萬片，並在全球搶購砷化鎵拋光片與外延片。
根據矽谷Strategies公司的預測，2000年全球基於砷化鎵材料的無線通信器件市場需求為17億美元，其中砷化鎵拋光片與外延片的需求為6億美元，並將於2005年達到25億美元，年增長率達到30％。
三、工藝技術方案
採用國內先進的工藝技術方案組織生產。
四、原材料來源
所需原材料均可在國內、國外方便采購。
五、投資估算及經濟效益預測
項目總投資21936萬元人民幣；銷售收入：20916萬元人民幣；年利稅總額：8982萬元人民幣；年凈利潤：7865萬元人民幣。
六、招商內容
希望引進資金，建立合資企業，投資比例、合作年限可以協商。
七、承擔單位概況
大慶佳昌科技有限公司於2002年9月在大慶高新區注冊成立的，主要從事砷化鎵單晶片及拋光的產業化生產，公司注冊資產3000萬元。公司現有員工50餘人，全部為大專以上學歷，享受國務院津貼專家1人，博士3人。

『玖』 氮化鎵材料一般會用在什麼地方呢哪家企業有在做

氮化鎵材料主要是用在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面的，目前市場上專門做這種材料的不多，利亞德參股的Saphlux公司算是實力比較強的一個了。

『拾』 砷化鎵對人體有害嗎

不會的，砷化鎵和砷有本質的區別，砷是單質，是有毒物質，而砷化鎵是化合物，其性質與砷截然不同，砷化鎵是優良的半導體材料。