中環股份區熔性單晶硅

A. 中國光伏企業四大巨頭是哪四個

四大光伏企業分別是英利綠色能源控股有限公司、無錫尚德太陽能電力有限公司、常州天合光能有限公司和蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司。

1、英利綠色能源控股有限公司：

一家全球領先的太陽能公司，也是全球最大的垂直一體化光伏發電產品製造商之一。業務主要涉及光伏組件的設計、製造和銷售，產品主要銷往德國、西班牙、義大利、希臘、法國、韓國、中國和美國等國家和地區，總部位於中國保定。

(1)中環股份區熔性單晶硅擴展閱讀

阿特斯陽光電力集團成立19年來（2001年成立），通過多元化發展戰略和市場布局，阿特斯已在全球7個國家和地區成立了16家光伏矽片、電池和組件生產企業，並在20多個國家和地區建立了分支機構。

阿特斯通過創新提高組件功率及單瓦發電量，降低度電成本。阿特斯研發的超410瓦黑硅多晶PERC雙面半片電池組件，成為全球正面功率就超過400瓦的雙面多晶組件，組件背面發電雙面率高達75%。

在不同地面安裝環境下，其組件背面發電增益最高可達30%。而由阿特斯研發並推出的十款組件，最高功率已超435瓦。

B. 請問直拉單晶硅（CZ）區熔單晶硅（FZ）的英文全稱

CZ和FZ是「直拉」和「區熔」的縮寫
下面僅供參考：
直拉條 straight brace
直拉條架 straight-braced frame

單晶硅 monocrystalline silicon; silicon single crystal; single crystal silicon; single-crystal silicon
單晶硅棒 silicon single crystal rod
單晶硅拋光劑 polishing agent for mono-crystalline silicon
單晶硅研磨材料 lapping material for mono-crystalline silicon

區熔 zone melt
區熔法裝置 zone melting apparatus
區熔技術 zone-melting technique
區熔空段法 zone-void process
區熔模擬計算機 zone-melting analog computer
區熔色譜法 zone melting chromatography
區熔提純 zone-refine
區熔提純法 floating zone refining method

C. 區熔單晶是什麼

區熔硅單晶(float zone silicon crystal)

用區熔法單晶生長技術制備的半導體硅材料，是重要的硅單晶產品。由於硅熔體與坩堝容器起化學作用，而且利用硅表面張力大的特點，故採用懸浮區熔法，簡稱FZ法或FZ單晶。
特點和應用 由於不用坩堝，避免了來自坩堝的污染，而且還可以利用懸浮區熔進行多次提純，所以單晶的純度高。用於製作電力電子器件、光敏二極體、射線探測器、紅外探測器等。Fz單晶的氧含量比直拉硅單晶(見半導體硅材料)的氧含量低2～3個數量級，這一方面不會產生由氧形成的施主與沉積物，但其機械強度卻不如直拉單晶硅，在器件制備過程中容易產生翹曲和缺陷。在Fz單晶中摻入氮可提高其強度。

工藝特點 大直徑生長，比直拉硅單晶困難得多，要克服的主要問題是熔區的穩定性。這可用「針眼技術」解決，在FZ法中這是一項重大成就。另一項重大成就是中子嬗變摻雜。它使電力電子器件得到飛躍發展。Fz技術無法控制熔體對流和晶／熔邊界層厚度，因而電阻率的波動比cZ單晶大。高的電阻率不均勻性限制了大功率整流器和晶閘管的反向擊穿電壓。利用中子嬗變摻雜可獲得摻雜濃度很均勻的區熔硅(簡稱NTD硅)，從而促進了大功率電力電子器件的發展與應用。區熔硅的常規摻雜方法有硅芯摻雜、表面塗敷摻雜、氣相摻雜等，以氣相摻雜最為常用。晶體缺陷 區熔硅中的晶體缺陷有位錯和漩渦缺陷。中子嬗變晶體還有輻照缺陷，在純氫或氬一氫混合氣氛中區熔時，常引起氫致缺陷。其中漩渦缺陷有A、B、C和D四種，其特性及易出現的主要條件列於 漩渦缺陷有害，它使載流子壽命下降，進而導致器件特性劣化。在器件工藝中它可轉化為位錯、層錯及形成局部沉澱，從而造成微等離子擊穿或使PN結反向電流增大。這種缺陷不僅使高壓大功率器件性能惡化，而且使CCD產生暗電流尖峰。在單晶制備過程中減少漩渦缺陷的措施有盡量降低碳含量、提高拉晶速度等。』 90年代的水平90年代以來達到的是：區熔硅單晶的最大直徑為150mm，並已商品化，直徑200mm的產品正在試驗中。晶向一般為<111)和<100>。
(1)氣相摻雜區熔硅單晶。N型摻磷、P型摻硼。無位錯、無漩渦缺陷。碳濃度[C。]<2×10「at／cm3，典型的可<5×1015at／cm3。氧濃度<1×1016at／cm3。電阻率范圍和偏差列於表2，少子壽命值列於表3。

D. 區熔法制備單晶硅的工業流程的具體步驟和圖片

不知道能不能幫忙的。

圖FZ法單晶硅拉晶運作原理和結構

懸浮區熔法：

主要用於提純和生長硅單晶；其基本原理是：依靠熔體的表面張力，使熔區懸浮於多晶硅

棒與下方生長出的單晶之間，通過熔區向上移動而進行提純和生長單晶。具有如下特點：

1.不使用坩堝，單晶生長過程不會被坩堝材料污染

2.由於雜質分凝和蒸發效應，可以生長出高電阻率硅單晶

E. 單晶硅概念股有哪些

蘭花科創：重慶蘭花太陽能電力股份有限公司建設的1000噸單晶硅項目，分兩期建設，一期為500噸。蘭花太陽能的主要產品是單晶矽片。該項目目前仍處於建設階段，單晶硅棒生產車間設備安裝已完成60%，並試生產出一小部分單晶硅棒，還未進入批量生產。單晶硅棒屬於單晶矽片的中間產品。單晶矽片生產車間設備還未安裝到位。

大港股份：公司完成了對子公司大成硅科技剩餘25％股權的收購工作，大成硅科技有限公司主要從事晶體硅太陽能電池硅切片、硅棒的生產、銷售。2008年7月1日，大成硅科技、江蘇輝倫和公司在江蘇省鎮江市就太陽能單晶矽片購銷簽訂《購銷合同》。大成硅科技向江蘇輝倫提供符合約定技術標注的125mm×125mm太陽能單晶矽片，合同金額45333萬元，供貨時間為2008年第三季度開始到2009年第四季度結束。

中環股份：從事半導體分立器件和單晶硅材料研發、生產和銷售，主要產品為高壓硅堆、硅橋式整流器、快恢復整流二極體、單晶硅及硅切磨片等，其中分立器件產品主要應用於電視機、顯示器、微波爐等各類電器；單晶硅材料主要應用於半導體集成電路、半導體分立器件、太陽能電池等。公司與航天機電共同組建內蒙古中環光伏有限材料公司，共同打造內蒙古光伏產業基地項目。該項目分四期建設，目標是建成年產800-1000MW太陽能單晶硅錠、矽片的生產基地。

拓日新能：國際上只有西門子、夏普、德國RWE等幾個廠家能夠同時生產非晶硅、單晶硅、多晶硅三種太陽能電池，公司是國內唯一一家，公司使用的生產設備自製化程度高達70％以上。打破國內太陽能電池產業「國外設備壟斷、國外技術包干」的雙壟斷格局。

億晶光電：將採取資產置換以及發行股份購買資產的方式置入億晶光電100％股權，進軍光伏行業，億晶光電也將成功借殼上市。據了解，億晶光電已形成較為完善的光伏產業鏈，成為國內僅有的三家擁有垂直一體化產業鏈且產能在200MW以上的太陽能電池組件生產企業之一。重組後，海通集團的主業將從果蔬農產品加工和銷售變更為單晶硅棒、單晶硅（多晶硅）片、太陽能電池片及太陽能電池組件的生產及銷售。

有研新材：公司處在多晶硅產業鏈條的中間。大股東為北京有色金屬研究總院，主營單晶硅、鍺、化合物半導體材料的研究、開發和生產，其主導產品單晶硅為太陽能電池重要原材料。公司充分利用大直徑單晶回收料，成功將其用於生產太陽能電池用單晶硅。

中環股份：10月12日午間公告，公司全資子公司天津環歐半導體材料技術有限公司，針對未來全球光伏市場對高效率太陽能電池的發展需求，利用多年在半導體級直拉區熔（CFZ）晶體生長技術的持續研發和專業經驗，成功研發了 「適用於太陽能單晶的新型直拉區熔法單晶（CFZ單晶）矽片」，並已申請發明專利。

F. 天津有哪些太陽能光伏行業的企業 最好是切片公司（多晶、單晶）、鑄錠也行； 知道哪裡有招聘嘛

天津中環半導體股份有限公司啊，簡稱中環股份，上市公司，股票代碼002129。
公司是一家集半導體材料-新能源材料和節能型半導體器件-新能源器件科研、生產、經營、創投於一體的國有控股企業，擁有全球獨特的雙產業鏈，是天津市高新技術企業，擁有1個博士後科研工作站、2家省部級研發中心。
公司單晶硅品種齊全，其中區熔系列單晶硅產品產銷規模全球排名第三、國內市場份額超過70%，產量和市場佔有率已連續多年居國內同行業首位；直拉單晶及矽片技術和產銷規模方面居國內前列；拋光片產業採用國際一流的新技術、新工藝流程，獨立開發具有自主知識產權的大直徑硅拋光片生產技術，研發和產業化水平處於國內領先位置；太陽能硅材料產業經過產業化生產驗證，與國內同行業相比單位兆瓦直拉晶體生長投資下降了33%以上，生產效率提高了60%以上，生產成本降低了25%以上；半導體整流器件產業經過多年技術創新的積淀，掌握了從晶元到封裝的全套核心技術；節能型半導體功率器件產業在凈化間設計、動力配套、裝備水平、產品品種、產品技術方面均處於國內同行業領先水平。

G. 單晶硅是什麼

單晶硅是硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。

(7)中環股份區熔性單晶硅擴展閱讀：

主要用途

單晶硅主要用於製作半導體元件。

用途： 是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等

熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

單晶硅的製法通常是先制的多晶硅或無定形硅，然後用直拉法或懸浮區熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產單晶矽片的原材料，隨著國內和國際市場對單晶矽片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，晶元的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。

單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延法。直拉法、區熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用於半導體集成電路、二極體、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

區熔法單晶主要用於高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用於大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等系列產品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用於集成電路領域。

H. 單晶硅是誰研究出來的

硅的單晶體。具有基本完整的點陣結構的晶體。不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶硅在單晶爐內拉制而成。
用途：單晶硅具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導電，但導電率不及金屬，且隨著溫度升高而增加，具有半導體性質。單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成P型半導體，摻入微量的第VA族元素，形成N型，N型和P型半導體結合在一起，就可做成太陽能電池，將輻射能轉變為電能。
單晶硅是製造半導體硅器件的原料，用於制大功率整流器、大功率晶體管、二極體、開關器件等。在開發能源方面是一種很有前途的材料。
單晶硅按晶體生長方法的不同，分為直拉法、區熔法和外延法。直拉法、區熔法生長單晶硅棒材，外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用於半導體集成電路、二極體、外延片襯底、太陽能電池。