nandflash期貨

❶ nand flash 是什麼意思

flash存儲器是嵌入式硬體系統所使用的存儲設備，相當於PC機的硬碟，斷電後仍然能夠保存數據。一般固件（或者說，嵌入式軟體）就是保存在裡面的。
包括Nor flash和Nand flash。各有優缺點。Nand flash容量較大。

❷ Nandflash之MLC和SLC的區別

一、優缺點不同

1、MLC：為了保證MLC的壽命，控制晶元都校驗和智能磨損平衡技術演算法，使得每個存儲單元的寫入次數可以平均分攤，達到100萬小時故障間隔時間(MTBF)。

2、SLC：復寫次數高達100000次，比MLC快閃記憶體高10倍。

二、特點不同

1、MLC：是容量大成本低，但是速度慢。

2、SLC：成本高、容量小、速度快。

三、架構不同

1、MLC：MLC的每個單元是2bit的，相對SLC來說整整多了一倍。不過，由於每個MLC存儲單元中存放的資料較多，結構相對復雜，出錯的幾率會增加，必須進行錯誤修正，這個動作導致其性能大幅落後於結構簡單的SLC快閃記憶體。

2、SLC：SLC架構可承受約10萬次，是MLC的10倍。

❸ NandFlash是什麼

這個應該是手機/相機/PDA上的說明。。。

NandFlash是一種存儲介質。相當於電腦的硬碟。是用來存儲東西的。電腦上可存儲的東西，在這里也都能存儲。
而1G\2G\4G\8G\16G是這種存儲介質的大小容量。和電腦硬碟的多少G單位是一樣的。

這里為什麼會有多種選擇呢？
因為同一款手機/相機/PDA在推出時，會考慮不同人的需求。而這種不同配置，相當與PC上硬碟大小的不同配置。有些人喜歡大容量的，有些人感覺小點就夠用。
當然，容量越小，價格越便宜。

自己選擇時，應考慮自己的實際情況和價格，來選取一個最優的。

❹ nandflash和norflash的區別

nand flash和nor flash的區別如下：

1、開發的公司不同：

NOR flash是intel公司1988年開發出了NOR flash技術。NOR的特點是晶元內執行（XIP, eXecute In Place）。

Nand flash內存是flash內存的一種，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構。其內部採用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。

2、存儲單元關系的不同：

兩種FLASH具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，但NAND型FLASH各存儲單元之間是串聯的，而NOR型FLASH各單元之間是並聯的。為了對全部的存儲單元有效管理，必須對存儲單元進行統一編址。

3、擦除操作的不同：

NAND FLASH執行擦除操作是十分簡單的，而NOR FLASH則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由於擦除NOR FLASH時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND FLASH是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。

參考資料來源：網路-Nand flash

參考資料來源：網路-NOR Flash

❺ Nandflash和norflash的區別

NANDflash和NORflash的區別：
（1）、介面差別：
NOR型Flash採用的SRAM介面，提供足夠的地址引腳來定址，可以很容易的存取其片內的每一個位元組；NAND型Flash使用復雜的I/O口來串列的存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同，通常是採用8個I/O引腳來傳送控制、地址、數據信息。
（2）、讀寫的基本單位：
NOR型Flash操作是以「字」為基本單位，而NAND型Flash以「頁面」為基本單位，頁的大小一般為512位元組。
（3）、性能比較：
NOR型Flash的地址線和數據線是分開的，傳輸效率很高，程序可以在晶元內部執行，NOR型的讀速度比NAND稍快一些；NAND型Flash寫入速度比NOR型Flash快很多，因為NAND讀寫以頁為基本操作單位。
（4）、容量和成本：
NAND型Flash具有較高的單元密度，容量可以做得比較大，加之其生產過程更為簡單，價格較低；NOR型Flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND型Flash只是用在8～128MB的產品中，這也說明NOR主要用在代碼存儲介質中，NAND適合數據存儲在CompactFlash、PC Cards、MMC存儲卡市場上所佔的份額最大。
（5）、軟體支持：
NAND型和NOR型Flash在進行寫入和擦除時都需要MTD（Memory Technology Drivers，MTD已集成在Flash晶元內部，它是對Flash進行操作的介面），這是它們的共同特點；但在NOR型Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，而在NAND型Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，即內存技術驅動程序MTD。

❻ 三星的系列NandFlash有什麼區別

您好

1. K9F系列的是SLC結構的NANDFLASH
   2.K9G系列的是MCL結構的NANDFLASH

2. 首先是存取次數。MLC架構理論上只能承受約1萬次的數據寫入，而SLC架構可承受約10萬次，是MLC的10倍。這個1萬次指的是數據寫入次數，而非數據寫入加讀取的總次數。數據讀取次數的多寡對快閃記憶體壽命有一定影響，但絕非像寫入那樣嚴重。
   
   其次是讀取和寫入速度。這里仍存在認識上的誤區，所有快閃記憶體晶元讀取、寫入或擦除數據都是在快閃記憶體控制晶元下完成的，快閃記憶體控制晶元的速度決定了快閃記憶體里數據的讀取、擦除或是重新寫入的速度。SLC技術被開發的年頭遠早於MLC技術，與之相匹配的控制晶元技術上已經非常成熟。
   
   第三是功耗。SLC架構由於每Cell僅存放1bit數據，故只有高和低2種電平狀態，使用1.8V的電壓就可以驅動。而MLC架構每Cell需要存放多個bit，即電平至少要被分為4檔（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的電壓才能驅動。
   
   第四是出錯率。在一次讀寫中SLC只有0或1兩種狀態，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，簡單點說每Cell就像我們日常生活中使用的開關一樣，只有開和關兩種狀態，非常穩定，就算其中一個Cell損壞，對整體的性能也不會有影響。在一次讀寫中MLC有四種狀態（以每Cell存取2bit為例），這就意味著MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓，讀寫時就需要更長的充電時間來保證數據的可靠性。它已經不再是簡單的開關電路，而是要控制四種不同的狀態，這在產品的出錯率方面和穩定性方面有較大要求，而且一旦出現錯誤，就會導致2倍及以上的數據損壞，所以MLC對製造工藝和控制晶元有著更高的要求。
   
   第五是製造成本。MLC技術原來每Cell僅存放1bit數據，而現在每Cell能存放2bit甚至更多數據，這些都是在存儲體體積不增大的前提下實現的，所以相同容量大小的MLC
   NAND Flash製造成本要遠低於SLC NAND Flash。
   
   

❼ NAND flash和NOR flash的區別詳解

NAND flash和NOR flash的區別
一、NAND flash和NOR flash的性能比較
flash快閃記憶體是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由於擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對於給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基於NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
2、NAND的寫入速度比NOR快很多。
3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
二、NAND flash和NOR flash的介面差別
NOR flash帶有SRAM介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每一個位元組。
NAND器件使用復雜的I/O口來串列地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作採用512位元組的塊，這一點有點像硬碟管理此類操作，很自然地，基於NAND的存儲器就可以取代硬碟或其他塊設備。
三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由於生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB快閃記憶體市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合於數據存儲，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所佔份額最大。
四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
採用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對於需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)
在NAND快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
六、位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須採用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)演算法。位反轉的問題更多見於NAND快閃記憶體，NAND的供應商建議使用NAND快閃記憶體的時候，同時使用
七、EDC/ECC演算法
這個問題對於用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
八、壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，並將壞塊標記為不可用。在已製成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
九、易於使用
可以非常直接地使用基於NOR的快閃記憶體，可以像其他存儲器那樣連接，並可以在上面直接運行代碼。
由於需要I/O介面，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
十、軟體支持
當討論軟體支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用於磁碟模擬和快閃記憶體管理演算法的軟體，包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟體支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用於NOR器件的更高級軟體，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所採用。
驅動還用於對DiskOnChip產品進行模擬和NAND快閃記憶體的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

❽ NAND Flash和Nor Flash到底有什麼區別

性能差別:對於Flash的寫入速度，其實是寫入和擦除的綜合速度，Nand Flash擦除很簡單，而Nor Flash需要將所有位全部寫0(這里要說明一下，Flash器件寫入只能把1寫為0，而不能把0寫為1,也就說，其寫入的方式是按照邏輯與來進行的，譬如原來地址上的數據是0x01,寫入0x98,地址存在的數據就是0x01&0x98 = 0x00), Nor Flash在64KB塊進行寫/擦除操作時，大概需要700ms的時間，而Nand Flash對32KB塊進行操作，僅僅需要4ms。
容量差別:Nand Flash容量要比Nor Flash大得多，Nand:8M-4GB.Nor:1-32MB,因此對於嵌入式設備，Nand可以作為U盤或SD存儲介質，Nor可以用來存儲程序，如果不太考慮速度，代碼可以在其中運行。
使用時間：Nand Flash是Nor Flash的十倍，Nand Flash是100萬次擦寫，Nor是10萬次。
數據可靠性：Flash器件內部都是按照位操作，所以容易造成位交換，Nand Flash發生的次數比Nor要多，因此Nand Flash通過ECC演算法來保證數據的可靠性。 下一篇預告: Nand Flash硬體介面與驅動實現

❾ NANDFLASH與eMMC的區別

NANDFLASH與eMMC的區別為：來源不同、用途不同、讀取不同。

一、來源不同

1、NANDFLASH：NANDFLASH是東芝在1989年的國際固態電路研討會(ISSCC)上發表的。

2、eMMC：eMMC為MMC協會所訂立的。

二、用途不同

1、NANDFLASH：NANDFLASH適合用於儲存卡之類的大量存儲設備。

2、eMMC：eMMC主要是針對手機或平板電腦等產品的內嵌式存儲器標准規格。

三、讀取不同

1、NANDFLASH：NANDFLASHI/O介面並沒有隨機存取外部地址匯流排，它必須以區塊性的方式進行讀取。

2、eMMC：eMMC在封裝中集成了一個控制器，提供標准介面進行讀取並管理快閃記憶體。

❿ 如何測試nandflash可靠性

/*說明：測試nandflash的可靠性，有的時候nandflash寫進去的內容會變位比如寫進去1，可是存儲的值變成了0，為了測試這種情況的頻率寫了下面的測試用例*/

/*nandflash掛載在/home/test目錄下，通過不停的往test目錄下寫兩個文件A,B（隨便兩個文件二進制文件都可以），寫進去的文件名和順序A0，B0，A1，B1，A2，B2....,每寫進入一個文件讀出來和A或者B比較*/

/*如果一旦發現寫滿了就刪除文件重寫繼續寫，一直持續下去，如果發現讀出來的內容和寫進入的內容就報錯，然後再寫一次，如果還錯就退出程序*/

#include <stdio.h>

#include <stdlib.h>

#include <unistd.h>

#include <string.h>

#include <fcntl.h>

#include <sys/statfs.h> //for statfs

#include <sys/vfs.h> //for statfs

#include <sys/types.h>

#include <sys/stat.h> //for stat

#include <sys/time.h>

#include "errno.h"

static int nandflash_wrong=0;

int check_remain_space(void)

{

int stat_flag=0;

int i;

struct statfs nandflash_stat;

long hdisk_remainder_space;

char path_name_check[32];

struct stat name_buf_check;

stat_flag = statfs("/home/test", &nandflash_stat);//獲取nandflash的信息

if(stat_flag<0)

{

printf("get nandflash info error!\n");

return -1;

}

hdisk_remainder_space = (float)nandflash_stat.f_bsize * nandflash_stat.f_bfree / 1024;//檢測磁碟空間

if(hdisk_remainder_space<8*1024) //至少保留8M的空間

{

for(i=0;i<200;i++)

{

sprintf(path_name_check,"/home/test/A%d",i);

stat(path_name_check,&name_buf_check);

if(errno!=ENOENT) //文件存在，則刪除

{

unlink(path_name_check);//不能重名

}

sprintf(path_name_check,"/home/test/B%d",i);

stat(path_name_check,&name_buf_check);

if(errno!=ENOENT) //文件存在，則刪除

{

unlink(path_name_check);//不能重名

}

}

sleep(20); //刪除文件並不是立即刪除，所以要等待文件刪除之後再寫,防止寫的速度比刪除速度快，導致磁碟被寫滿的情況而出錯

return 1;

}

return 0;

}

int write_read_nandflash(int mark,unsigned int i,int file_size,char *write_buf,char *read_buf)

{

FILE *fp;

char path_name[32];

unsigned long buf_count=0;

struct stat name_buf;

if( mark == 0 )

{

sprintf(path_name,"/home/test/A%d",i);//生成不同的文件名A0，A1，A2，A3.......

}

else

{

sprintf(path_name,"/home/test/B%d",i);

}

stat(path_name,&name_buf);

if(errno!=ENOENT) //文件存在，則刪除

{

unlink(path_name);//不能重名

sleep(3);

}

if((fp=fopen(path_name,"w"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

fwrite(write_buf,file_size,1,fp);

fclose(fp);

// printf("write file name is:%s\n",path_name);

if((fp=fopen(path_name,"r"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

fread(read_buf,file_size,1,fp);

for(buf_count=0;buf_count<(file_size-1);buf_count++)//將master/slave文件寫到nandflash中的內容讀出來比較

{

if(read_buf[buf_count]!=write_buf[buf_count])

{

system("date");//出錯的時候列印的系統時間

printf("file name is %s:\n",path_name);

unlink(path_name);

sleep(3);

if((fp=fopen(path_name,"w"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

nandflash_wrong++;

fwrite(write_buf,file_size,1,fp);//出錯之後再寫一次

fclose(fp);

if((fp=fopen(path_name,"r"))==NULL)

{

printf("fopen failed!\n");

return -1;

}

fread(read_buf,file_size,1,fp);

for(buf_count=0;buf_count<(file_size-1);buf_count++)

{

if(read_buf[buf_count]!=write_buf[buf_count])

{

printf("file name is %s:\n",path_name);

printf("write twice failed!\n");

fclose(fp);

return -1;

}

}

}

}

fclose(fp);

return 0;

}

int main(void)

{

int A_size,B_size;

A_size=B_size=0;

int A_fd,B_fd;

char *A_buf_read=NULL;

char *B_buf_read=NULL;

char *A_buf_write=NULL;

char *B_buf_write=NULL;

unsigned int iteation=0;

int ret;

A_fd=0;

A_fd=open("/home/A",O_RDONLY);

if(A_fd<0)

{

printf("open A faild!\n");

return -1;

}

A_size=lseek(A_fd,0,SEEK_END);

lseek(A_fd,0,SEEK_SET);

A_buf_write=(char *)malloc(A_size);

if(NULL == A_buf_write)

{

printf("A_buf_write malloc failed!\n");

close(A_fd);

return -1;

}

A_buf_read=(char *)malloc(A_size);

if(NULL == A_buf_read)

{

printf("A_buf_read malloc failed!\n");

close(A_fd);

return -1;

}

if(read(A_fd,A_buf_write,A_size)<0)

{

close(A_fd);

printf("read A file failed\n");

}

close(A_fd);

B_fd=0;

B_fd=open("/home/B",O_RDONLY);

if(B_fd<0)

{

printf("open B faild!\n");

return -1;

}

B_size=lseek(B_fd,0,SEEK_END);

lseek(B_fd,0,SEEK_SET);

B_buf_write=(char *)malloc(B_size);

if(NULL == B_buf_write)

{

printf("B_buf_write malloc failed!\n");

close(B_fd);

return -1;

}

B_buf_read=(char *)malloc(B_size);

if(NULL == B_buf_read)

{

printf("B_buf_read malloc failed!\n");

close(B_fd);

return -1;

}

if(read(B_fd,B_buf_write,B_size)<0)

{

printf("read B file failed\n");

close(B_fd);

}

close(B_fd);

system("date");//測試開始，開始讀寫nandflash

while(1)

{

if((ret=check_remain_space())<0)//檢測磁碟空間，小於8M,要刪除文件重新從A0，B0，A1，B1，A2，B2。。。。寫

{

printf("check space wrong\n");

return -1;

}

else if(ret==1)

{

iteation=0;

}

if(write_read_nandflash(0,iteation,A_size,A_buf_write,A_buf_read)<0)//write A to nand and read it to compare

{

printf("write_read nand flash wrong\n");

return -1;

}

if(write_read_nandflash(1,iteation,B_size,B_buf_write,B_buf_read)<0)//write B

{

printf("write_read nand flash wrong\n");

return -1;

}

iteation++;

}

return 0;

}